1.一种相变存储单元，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，所述第一底部电极层的电阻率小于所述第三底部电极层的电阻率。
3.如权利要求1或2所述的相变存储单元，其特征在于，所述第一底部电极层和所述第三底部电极层的材料均包括sic、n型/p型掺杂的sic或tan。
4.如权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，所述第一底部电极层及所述第三底部电极层完全包裹所述第二底部电极层的外壁。
5.如权利要求4所述的相变存储单元，其特征在于，所述第一底部电极层呈u型，所述第二底部电极层位于所述第一底部电极层的开口内，且填充所述第一底部电极层的开口的至少部分深度，所述第三底部电极层覆盖所述第一底部电极层及所述第二底部电极层的顶面。
6.如权利要求4所述的相变存储单元，其特征在于，所述第一底部电极层及所述第二底部电极层均呈u型且依次堆叠，所述第三底部电极层填充在所述第二底部电极层的开口内并延伸覆盖所述第一底部电极层及所述第二底部电极层的顶面。
7.如权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，所述第一底部电极层、所述第二底部电极层及所述第三底部电极层均呈平板状且依次堆叠。
8.如权利要求1、2、4、5、6、7中任一项所述的相变存储单元，其特征在于，还包括隔热层，所述隔热层位于所述介质层内，且至少覆盖所述堆叠结构裸露的外壁。
9.如权利要求8所述的相变存储单元，其特征在于，所述隔热层的材料包括sicn或si3n4。
10.如权利要求8所述的相变存储单元，其特征在于，所述介质层包括由下至上依次设置的第一子介质层和第二子介质层，所述隔热层位于所述第一子介质层和所述第二子介质层之间，且包括第一子隔热层和第二子隔热层；以及，
11.如权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，还包括：
12.一种相变存储单元的制备方法，其特征在于，包括：
13.如权利要求12所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，形成所述介质层及所述堆叠结构的步骤包括：
14.如权利要求13所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，形成第一底部电极层、所述第二底部电极层、所述第三底部电极层、所述相变存储层及所述顶部电极层的步骤包括：
15.如权利要求13所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，形成第一底部电极层、所述第二底部电极层、所述第三底部电极层、所述相变存储层及所述顶部电极层的步骤包括：
16.如权利要求13所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，形成第一底部电极层、所述第二底部电极层、所述第三底部电极层、所述相变存储层及所述顶部电极层的步骤包括：
17.如权利要求13～16中任一项所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，所述衬底中具有源区和漏区，形成所述第一子介质层之前，还在所述源区和所述漏区之间的衬底上形成栅极结构，并在形成所述第一子介质层之后，在所述第一子介质层内形成分别与所述源区、所述栅极结构及所述漏区电性连接的第一子插塞、第二子插塞及第四插塞，所述穿孔对准并露出所述第四插塞；