1.一种装备，其包含：
2.根据权利要求1所述的装备，其中所述微喷嘴阵列被设置在所述微制造流控裸片的边缘上。
3.根据权利要求1所述的装备，其中所述微喷嘴阵列被设置在所述微流控裸片的端面上。
4.根据权利要求1所述的装备，其中所述第二对置板是第二气体分布板，且其中所述歧管经由气密式密封连接到所述第一气体分布板。
5.根据权利要求1所述的装备，其中所述第一气体分布板包含在室温与锡焊的回焊温度之间平均热膨胀系数小于4x10-6 k-1的材料。
6.根据权利要求1所述的装备，其中所述第一气体分布板和第二对置板是由选自由以下组成的群组中的至少一者制成：单晶硅、柱状硅和多晶硅。
7.根据权利要求1所述的装备，其中所述微制造流控裸片和所述微喷嘴阵列包含硅，并且所述微制造流控裸片与所述第一气体分布板接合。
8.根据权利要求1所述的装备，其中所述导热板包含内衬有绝热材料的窗口。
9.根据权利要求1所述的装备，其中所述第一气体分布板和第二对置板包含一或多种选自由以下组成的群组的绝热材料：单晶硅、柱状硅和多晶硅。
10.根据权利要求1所述的装备，其进一步包含：
11.一种装备，其包含：
12.根据权利要求11所述的装备，其中所述第一气体分布板包含在室温与锡焊的回焊温度之间平均热膨胀系数小于4x10-6 k-1的材料。
13.根据权利要求11所述的装备，其中所述装置包含选自由以下组成的群组中的至少一者：钼、钨、科伐合金、氮化铝、氮化硅、单晶硅、柱状硅和多晶硅。
14.根据权利要求11所述的装备，所述微喷嘴阵列包含硅。
15.根据权利要求11所述的装备，其进一步包含：