墨组合物、发光元件及该发光元件的制造方法与流程

1.本发明涉及一种发光元件、包括该发光元件的显示装置及该发光元件的制造方法，更详细地，涉及一种包括包含可交联的高分子的发光层的发光元件、包括该发光元件的显示装置及该发光元件的制造方法。


背景技术：

2.正在研发用于诸如电视机、便携电话、平板计算机、导航仪、游戏机等多媒体装置的多种显示装置。在这些显示装置中，正在使用通过使包括有机化合物的发光材料发光而实现显示的所谓自发光型的发光元件。
3.另外，在制造发光元件时，正在使用喷墨印刷法等制造方法。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于，提供一种通过包括包含低沸点溶剂的墨组合物及利用墨组合物形成的发光层而使发光效率及寿命得到改善的发光元件。
5.此外，本发明的目的在于，提供一种包括形成包含低沸点的溶剂而提高干燥工艺的效率的发光层的步骤的发光元件的制造方法。
6.本发明的墨组合物包括：混合溶剂，包含第一溶剂和第二溶剂；以及发光材料，其中，所述第一溶剂和所述第二溶剂各自的蒸气压为1
×
10-4
以上，沸点为270℃以下。
7.在一实施例中，所述混合溶剂的相对蒸发速率可以为30,000以下。
8.在一实施例中，所述混合溶剂的汉森溶解度参数δd可以为20以下且δp可为4以上。
9.在一实施例中，所述第一溶剂可以为芳香族溶剂。
10.在一实施例中，所述第二溶剂可以为醚(ether)系溶剂。
11.在一实施例中，所述第一溶剂和所述第二溶剂的重量比可以为8:2至6:4。
12.在一实施例中，所述混合溶剂的蒸发结束温度可以为150℃以下。
13.在一实施例中，相对于所述混合溶剂100重量份，可以包括0.5重量份至15重量份的所述发光材料。
14.在一实施例中，所述发光材料可以包括主体化合物和掺杂剂化合物。
15.本发明的发光元件包括：第一电极；空穴传输区域，布置于所述第一电极上；发光层，布置于所述空穴传输区域上，包括包含第一溶剂和第二溶剂的混合溶剂和发光材料；以及第二电极，布置于所述发光层上，其中，所述第一溶剂和所述第二溶剂各自的蒸气压为1
×
10-4
以上，沸点为270℃以下。
16.在一实施例中，所述混合溶剂的相对蒸发速率可以为30,000以下。
17.在一实施例中，所述混合溶剂的汉森溶解度参数δd可以为20以下且δp可以为4以上。
18.在一实施例中，所述空穴传输区域可以包括空穴传输化合物，所述空穴传输化合物的汉森溶解度参数δd可以大于20且δp小于4。
19.在一实施例中，所述发光元件还可以包括：封盖层，布置于所述第二电极上，所述封盖层的折射率可以为1.6以上。
20.本发明的发光元件的制造方法包括如下步骤：提供第一电极；在所述第一电极上形成空穴传输区域；在所述空穴传输区域上提供墨组合物而形成发光层；以及在所述发光层上形成第二电极，其中，所述墨组合物包括包含第一溶剂和第二溶剂的混合溶剂和发光材料，并且所述第一溶剂和所述第二溶剂各自的蒸气压为1
×
10-4
以上，沸点为270℃以下。
21.在一实施例中，所述混合溶剂的汉森溶解度参数δd可以为20以下且δp可以为4以上。
22.在一实施例中，形成所述发光层的步骤可以包括利用喷墨印刷法提供所述墨组合物的步骤。
23.在一实施例中，形成所述发光层的步骤可以包括：提供所述墨组合物而形成预发光层的步骤；以及向所述预发光层提供热量的步骤。
24.在一实施例中，向所述预发光层提供热量的步骤中所提供的热量的温度可以为160℃以下。
25.在一实施例中，相对于所述混合溶剂100重量份，可以包括0.5重量份至15重量份的所述发光材料。
26.根据一实施例，可以提供包含沸点和蒸气压得到控制的溶剂的墨组合物以及效率得到改善的发光元件。
27.根据一实施例，可以提供在发光层形成过程中工艺效率得到改善的发光元件的制造方法。
附图说明
28.图1是根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。
29.图2是根据本发明的一实施例的显示装置的剖面图。
30.图3是示意性地示出根据本发明的一实施例的发光元件的剖面图。
31.图4是示意性地示出根据本发明的一实施例的发光元件的剖面图。
32.图5是示意性地示出根据本发明的一实施例的发光元件的剖面图。
33.图6示意性地示出根据本发明的一实施例的发光元件的剖面图。
34.图7是示出根据本发明的一实施例显示装置的剖面图。
35.图8是示出根据本发明的一实施例显示装置的剖面图。
36.图9是一实施例的发光元件的制造方法的流程图。
37.图10是一实施例的发光元件的制造方法中的一步骤的详细流程图。
38.图11和图12是示意性地示出一实施例的发光元件的制造方法中的一步骤的图。
39.图13是示出比较例和实施例的混合溶剂的溶出数据的曲线图。
40.图14是比较溶剂在喷射沉积基板中的干燥速度的表。
41.【附图标记说明】
42.dd：显示装置
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
ed：发光元件
43.el1：第一电极
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
el2：第二电极
44.htr：空穴传输区域
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
etr：电子传输区域
45.eml：发光层
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
htl：空穴传输层
46.hil：空穴注入层
具体实施方式
47.本发明可以进行多样的变更，并且可以具有多种形态，在附图中例示出特定实施例，并在正文中进行详细说明。然而，这并不旨在将本发明限制于特定的公开形态，而是应当理解为包含本发明的构思以及技术范围所包括的所有变更、等同物以及替代物。
48.在本说明书中，当提到某一构成要素(或者区域、层、部分等)在另一构成要素“之上”、与另一构成要素“连接”或者“结合”时，其表示可以直接布置于另一构成要素上或者与另一构成要素直接连接/结合，或者在它们之间也可以布置有第三构成要素。
49.此外，在本技术中，“直接布置”可以表示在层、膜、区域、板等部分与另一部分之间不存在额外的层、膜、区域、板等。例如，“直接布置”可以表示在两个层或者两个部件之间不使用诸如粘结部件等附加部件而布置。
50.相同的附图标记指代相同的构成要素。并且，在附图中，构成要素的厚度、比率以及尺寸为了针对技术内容进行有效的说明而被夸大。“和/或者”包括相关的构成可以定义的一个以上的全部的组合。
51.第一、第二等术语可以用于说明多种构成要素，但所述构成要素不应被所述术语限定。所述术语仅作为将一个构成要素与另一构成要素进行区分的目的使用。例如，在不脱离本发明的权利范围的情形下，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，相似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。单数的表述只要在语境中没有明确表示出不同含义，便包括复数的表述。
52.并且，“下方”、“下侧”、“上方”、“上侧”等术语用于说明附图中示出的构成的相关关系。所述术语为相对概念，以附图中表示的方向为基准而被说明。
[0053]“包括”或者“具有”等术语应当被理解为旨在指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在，而不是预先排除一个或者其以上的其他特征或者数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在或者附加的可能性。
[0054]
只要没有被不同地定义，本说明书中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常所理解的内容相同的含义。并且，与通常使用的词典中定义的术语相同的术语应当被解释为具有与在相关技术的语境中具有的含义一致的含义，在此，只要没有被明示性地定义，则不应被解释为过于理想或者过度形式性的含义。
[0055]
以下，参照附图对根据一实施例的发光元件、包括该发光元件的显示装置以及该发光元件的制造方法进行说明。
[0056]
图1是示出显示装置dd的一实施例的平面图。图2是一实施例的显示装置dd的剖面图。图2是示出与图1的i-i'线对应的部分的剖面图。
[0057]
显示装置dd可以包括显示面板dp以及布置于显示面板dp上的光学层pp。显示面板dp包括发光元件ed-1、ed-2、ed-3。显示装置dd可以包括多个发光元件ed-1、ed-2、ed-3。光学层pp可以布置于显示面板dp上而控制因外部光而产生的在显示面板dp处的反射光。光学层pp例如可以包括偏振层或者滤色器层。另外，与附图所示不同，在一实施例的显示装置dd
中可以省略光学层pp。
[0058]
在光学层pp上可以布置有基底基板bl。基底基板bl可以是提供布置光学层pp的基底面的部件。基底基板bl可以是玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，实施例不限于此，基底基板bl可以是无机层、有机层或者复合材料层。此外，与附图所示不同，在一实施例中可以省略基底基板bl。
[0059]
根据一实施例的显示装置dd还可以包括充电层(未图示)。充电层(未图示)可以布置于显示元件层dp-ed与基底基板bl之间。充电层(未图示)可以是有机物层。充电层(未图示)可以包括丙烯酸系树脂、硅系树脂以及环氧系树脂中的至少一种。
[0060]
显示面板dp可以包括基底层bs、设置于基底层bs上的电路层dp-cl以及显示元件层dp-ed。显示元件层dp-ed可以包括像素限定膜pdl、布置于像素限定膜pdl之间的发光元件ed-1、ed-2、ed-3以及布置于发光元件ed-1、ed-2、ed-3上的封装层tfe。
[0061]
基底层bs可以是提供布置显示元件层dp-ed的基底面的部件。基底层bs可以是玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，实施例不限于此，基底层bs可以是无机层、有机层或者复合材料层。
[0062]
在一实施例中，电路层dp-cl可以布置于基底层bs上，电路层dp-cl可以包括多个晶体管(未图示)。晶体管(未图示)可以分别包括控制电极、输入电极以及输出电极。例如，电路层dp-cl可以包括用于驱动显示元件层dp-ed的发光元件ed-1、ed-2、ed-3的开关晶体管以及驱动晶体管。
[0063]
发光元件ed-1、ed-2、ed-3中的每一个可以具有将在后文中描述的根据图3至图6的一实施例的发光元件ed的结构。发光元件ed-1、ed-2、ed-3中的每一个可以包括第一电极el1、空穴传输区域htr、发光层eml-r、eml-g、eml-b、电子传输区域etr以及第二电极el2。
[0064]
在图2中示出了发光元件ed-1、ed-2、ed-3的发光层eml-r、eml-g、eml-b布置于定义在像素限定膜pdl的开口部oh内，并且空穴传输区域htr、电子传输区域etr以及第二电极el2在整个发光元件ed-1、ed-2、ed-3被提供为公共层的实施例。然而，实施例不限于此，与图2所示的情形不同地，在一实施例中，空穴传输区域htr和电子传输区域etr可以被图案化而提供于定义在像素限定膜pdl的开口部oh内部。例如，在一实施例中，发光元件ed-1、ed-2、ed-3的空穴传输区域htr、发光层eml-r、eml-g、eml-b以及电子传输区域etr等可以通过喷墨印刷法被图案化而提供。
[0065]
封装层tfe可以覆盖发光元件ed-1、ed-2、ed-3。封装层tfe可以密封显示元件层dp-ed。封装层tfe可以是薄膜封装层。封装层tfe可以是一层或者由多个层堆叠而成。封装层tfe包括至少一个绝缘层。根据一实施例的封装层tfe可以包括至少一个无机膜(以下，称作封装无机膜)。并且，根据一实施例的封装层tfe可以包括至少一个有机膜(以下，称作封装有机膜)和至少一个封装无机膜。
[0066]
封装无机膜保护显示元件层dp-ed免受水分/氧气的影响，封装有机膜保护显示元件层dp-ed免受诸如灰尘颗粒之类的异物的影响。封装无机膜可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛或者氧化铝等，但并不特别限于此。封装有机膜可以包括丙烯酸系化合物、环氧系化合物等。封装有机膜可以包括能够光聚合的有机物质，但并不特别限于此。
[0067]
封装层tfe可以布置于第二电极el2上，并且布置为填充开口部oh。
[0068]
参照图1和图2，显示装置dd可以包括非发光区域npxa和发光区域pxa-r、pxa-g、
pxa-b。各个发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b可以是发出从各个发光元件ed-1、ed-2、ed-3生成的光的区域。发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b可以在平面上彼此相隔。
[0069]
各个发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b可以是通过像素限定膜pdl划分的区域。非发光区域npxa作为相邻的发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b之间的区域，可以是与像素限定膜pdl对应的区域。另外，在本说明书中，发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b中的每一个可以分别与发光元件ed-1、ed-2、ed-3对应。像素限定膜pdl可以用于划分发光元件ed-1、ed-2、ed-3。发光元件ed-1、ed-2、ed-3的发光层eml-r、eml-g、eml-b可以布置于定义在像素限定膜pdl的开口部oh而被划分。
[0070]
发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b可以根据从发光元件ed-1、ed-2、ed-3生成的光的颜色而划分为多个组。在图1和图2所示的一实施例的显示装置dd中，示例性地示出了发出红色光、绿色光以及蓝色光的三个发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b。例如，一实施例的显示装置dd可以包括彼此被划分的红色发光区域pxa-r、绿色发光区域pxa-g以及蓝色发光区域pxa-b。
[0071]
根据一实施例的显示装置dd中，多个发光元件ed-1、ed-2、ed-3可以发出彼此不同的波段的光。例如，在一实施例中，显示装置dd可以包括发出红色光的第一发光元件ed-1、发出绿色光的第二发光元件ed-2以及发出蓝色光的第三发光元件ed-3。即，显示装置dd的红色发光区域pxa-r、绿色发光区域pxa-g以及蓝色发光区域pxa-b分别对应于第一发光元件ed-1、第二发光元件ed-2以及第三发光元件ed-3。
[0072]
然而，实施例不限于此，第一发光元件ed-1、第二发光元件ed-2以及第三发光元件ed-3可以发出相同波段的光，或者它们中的至少一个可以发出不同波段的光。例如，第一发光元件ed-1、第二发光元件ed-2以及第三发光元件ed-3可以均发出蓝色光。
[0073]
在根据一实施例的显示装置dd的发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b可以排列为条纹形态。参照图1，多个红色发光区域pxa-r、多个绿色发光区域pxa-g以及多个蓝色发光区域pxa-b可以分别沿第二方向轴dr2整齐排列。并且可以沿第一方向轴dr1以红色发光区域pxa-r、绿色发光区域pxa-g以及蓝色发光区域pxa-b的顺序交替排列。
[0074]
在图1和图2中，虽然示出了发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b的面积均相似的情形，但实施例不限于此，发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b的面积可以根据所发出的光的波段而彼此不同。另外，发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b的面积可以表示在被第一方向轴dr1和第二方向轴dr2定义的平面上观察时的面积。
[0075]
另外，发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b的排列形态不限于图1中所示的情形，排列红色发光区域pxa-r、绿色发光区域pxa-g以及蓝色发光区域pxa-b的顺序可以根据显示装置dd中所需的显示品质的特性而以多样的方式组合而被提供。例如，发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b的排列形态可以包括排列形态或者菱形排列形态。
[0076]
此外，发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b的面积可以彼此不同。例如，在一实施例中，绿色发光区域pxa-g的面积可以比蓝色发光区域pxa-b的面积小，但实施例不限于此。
[0077]
以下，图3至图6是示意性地示出根据一实施例的发光元件的剖面图。根据一实施例的发光元件ed可以包括依次堆叠的第一电极el1、空穴传输区域htr、发光层eml、电子传输区域etr以及第二电极el2。
[0078]
与图3相比，图4示出了空穴传输区域htr包括空穴注入层hil以及空穴传输层htl，
电子传输区域etr包括电子注入层eil以及电子传输层etl的一实施例的发光元件ed的剖面图。并且，与图3相比，图5示出了空穴传输区域htr包括空穴注入层hil、空穴传输层htl以及电子阻挡层ebl，电子传输区域etr包括电子注入层eil、电子传输层etl以及空穴阻挡层hbl的一实施例的发光元件ed的剖面图。与图4相比，图6示出了包括布置于第二电极el2上的封盖层cpl的一实施例的发光元件ed的剖面图。
[0079]
第一电极el1具有导电性。第一电极el1可以利用金属材料、金属合金或者导电性化合物形成。第一电极el1可以是阳极(anode)或者阴极(cathode)。然而实施例不限于此。此外，第一电极el1可以是像素电极。第一电极el1可以是透射型电极、半透射型电极或者反射型电极。在第一电极el1是透射型电极的情形下，第一电极el1可以包括透明金属氧化物，例如氧化铟锡(ito：indium tin oxide)、氧化铟锌(izo：indium zinc oxide)、氧化锌(zno：zinc oxide)、氧化铟锡锌(itzo：indium tin zinc oxide)等。在第一电极el1为半透射型电极或者反射型电极的情形下，第一电极el1可以包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif、mo、ti、w、它们的化合物和混合物(例如，ag和mg的混合物)以及具有诸如lif/ca或lif/al的多层结构的材料中的至少一个。或者，第一电极el1可以是包括利用上述的物质形成的反射膜或者半透射膜以及利用氧化铟锡(ito：indium tin oxide)、氧化铟锌(izo：indium zinc oxide)、氧化锌(zno：zinc oxide)、氧化铟锡锌(itzo：indium tin zinc oxide)等形成的透明导电膜的多个层结构。例如，第一电极el1可以具有ito/ag/ito的三层结构，但不限于此。并且，实施例不限于此，第一电极el1可以包括上述的金属材料、选自上述的金属材料中的两种以上的金属材料的组合或者上述的金属材料的氧化物等。第一电极el1的厚度可以为约至约例如，第一电极el1的厚度可以为约至约
[0080]
空穴传输区域htr提供于第一电极el1上。空穴传输区域htr可以包括空穴注入层hil、空穴传输层htl、缓冲层或发光辅助层(未图示)以及电子阻挡层ebl中的至少一个。空穴传输区域htr的厚度例如可以为约至约
[0081]
空穴传输区域htr可以具有由单一物质构成的单一层结构、由多个彼此不同的物质构成的单一层结构或者具有由多个彼此不同的物质构成的多个层的多层结构。
[0082]
例如，空穴传输区域htr可以具有空穴注入层hil或空穴传输层htl的单一层的结构，也可以具有利用空穴注入物质及空穴传输物质构成的单一层结构。此外，空穴传输区域htr可以具有由多个彼此不同的物质构成的单一层的结构，或者具有从第一电极el1依次堆叠的空穴注入层hil/空穴传输层htl、空穴注入层hil/空穴传输层htl/缓冲层(未图示)、空穴注入层hil/缓冲层(未图示)、空穴传输层htl/缓冲层(未图示)或者空穴注入层hil/空穴传输层htl/电子阻挡层ebl的结构，但实施例不限于此。
[0083]
空穴传输区域htr可以利用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、lb法(langmuir-blodgett)、喷墨印刷法、激光印刷法、激光热转印法(liti：laser induced thermal imaging)等多种方法形成。
[0084]
空穴传输区域htr可以包括空穴传输化合物。空穴传输化合物的汉森溶解度参数(hansen solubility parameter)中的δd可以大于20，δp可以小于4。另外，δd是与色散力(dispersion forces)有关的参数，δp是与取向力(dipol-dipol forces)有关的参数。
[0085]
例如，空穴传输化合物可以包括：酞菁铜(copper phthalocyanine)等的酞菁(phthalocyanine)化合物、n1,n
1'-([1,1'-联苯]-4,4'-二基)双(n
1-苯基-n4,n
4-二-间甲苯基苯-1,4-二胺)(dntpd：n1,n
1'-([1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(n
1-phenyl-n4,n
4-di-m-tolylbenzene-1,4-diami ne))、4,4',4"-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-mtdata：4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino]triphenylamine)、4,4',4"-三(n,n-二苯基氨基)三苯胺(tdata：4,4',4"-tris(n,n-diphenylamino)triphenylamine)、4,4',4"-三[n-(2-萘基)-n-苯基氨基]-三苯胺(2-tnata：4,4',4"-tris[n-(2-naphthyl)-n-phenylamino]-triphenylamine)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss：poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate))、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa：polyaniline/dodecylbenzenesulfonic acid)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa：polyaniline/camphor sulfonicacid)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss：polyaniline/poly(4-styrenesulfonate))、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(npb：n,n'-di(naphthalene-l-yl)-n,n'-diphenyl-benzidine)、含三苯胺的聚醚酮(tpapek)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘鎓[四(五氟苯基)硼酸盐](4-isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium[tetrakis(pentafluorophenyl)borate])、双吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(hat-cn：dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile)等。
[0086]
空穴传输区域htr可以是n-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑等咔唑系衍生物、芴(fluorene)系衍生物、诸如n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(tpd：n,n'-bis(3-methylphenyl)-n,n'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine)、4,4',4"-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta：4,4',4"-tris(n-carbazolyl)triphenylamine)等之类的三苯胺系衍生物、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(npb：n,n'-di(naphthalene-l-yl)-n,n'-diphenyl-benzidine)、4,4'-亚环己基双[n,n-双(4-甲基苯基)苯胺](tapc：4,4
′‑
cyclohexylidenebis[n,n-bis(4-methylphenyl)benzenamine])、4,4'-双[n,n'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(hmtpd：4,4'-bis[n,n'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl)、1,3-双(n-咔唑基)苯(mcp：1,3-bis(n-carbazolyl)benzene)等。
[0087]
并且，空穴传输化合物可以是9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9h-咔唑(czsi：9-(4-tert-butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9h-carbazole)、9-苯基-9h-3,9'-联咔唑(ccp：9-phenyl-9h-3,9'-bicarbazole)或者1,3-双(1,8-二甲基-9h-咔唑-9-基)苯(mdcp：1,3-bis(1,8-dimethyl-9h-carbazol-9-yl)benzene)等。
[0088]
空穴传输区域htr可以在空穴注入层hil、空穴传输层htl以及电子阻挡层ebl中的至少一个包括上述的空穴传输化合物。
[0089]
空穴传输区域htr的厚度可以为约至约(例如，约至约)。在空穴传输区域htr包括空穴注入层hil的情形下，空穴注入层hil的厚度例如可以为约至约在空穴传输区域htr包括空穴传输层htl的情形下，空穴传输层htl的厚度可以为约至约例如，在空穴传输区域htr包括电子阻挡层ebl的情形下，电子阻挡层ebl的厚度可以为约至约在空穴传输区域htr、空穴注入层hil、空穴传输层htl以及电子阻挡层ebl的厚度满足如上所述的范围的情形下，可以在不实
质性地增大驱动电压的情况下呈现出令人满意的程度的发光特性。
[0090]
除了上述提及的物质之外，空穴传输区域htr还可以包括用于改善导电性的电荷生成物质。电荷生成物质可以均匀或不均匀地分散在空穴传输区域htr内。电荷生成物质例如可以是p型掺杂剂(dopant)。p型掺杂剂可以包括卤化金属化合物、醌(quinone)衍生物、金属氧化物以及含氰基(cyano)的化合物中的至少一种，但不限于此。例如，p型掺杂剂可以为cui及rbi等的卤化金属化合物、如四氰基醌二甲烷(tcnq：tetracyanoquinodimethane)及2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(f4-tcnq：2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane)等之类的醌衍生物、如钨氧化物及钼氧化物等之类的金属氧化物、双吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(hat-cn：dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile)以及4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]亚环丙基]-氰甲基]-2,3,5,6-四氟苯甲腈(ndp9：4-[[2,3-bis[cyano-(4-cyano-2,3,5,6-tetrafluorophenyl)methylidene]cyclopropylide ne]-cyanomethyl]-2,3,5,6-tetrafluorobenzonitrile)之类的含氰基的化合物等，但实施例不限于此。
[0091]
如上所述，空穴传输区域htr除了空穴注入层hil以及空穴传输层htl之外还可以包括缓冲层(未图示)以及电子阻挡层ebl中的至少一个。缓冲层(未图示)可以通过补偿根据从发光层eml发出的光的波长的谐振距离来增加发光效率。包括在缓冲层(未图示)的物质可以使用能够包括在空穴传输区域htr的物质。电子阻挡层ebl是起到防止电子从电子传输区域etr注入到空穴传输区域htr的作用的层。
[0092]
发光层eml提供于空穴传输区域htr上。发光层eml例如可以具有约至约或者约至约的厚度。发光层eml可以具有由单一物质构成的单一层结构、由多个彼此不同的物质构成的单一层结构或者具有由多个彼此不同的物质构成的多个层的多层结构。
[0093]
在一实施例中，发光层eml可以包括一实施例的墨组合物。即，发光层eml可以由一实施例的墨组合物形成。一实施例的墨组合物包括包含第一溶剂和第二溶剂的混合溶剂及发光材料。
[0094]
包括在混合溶剂的第一溶剂和第二溶剂可以各自满足蒸气压(v.p)为1
×
10-4
以上且沸点(b.p)为270℃以下的条件。在包括在混合溶剂的第一溶剂和第二溶剂各自不能满足上述条件的情形下，在形成发光层eml的过程中可能发生第一溶剂或第二溶剂残留的情况，并且可能因发光层eml的形成速度的降低而导致发生工艺上的问题。
[0095]
在一实施例中，混合溶剂的汉森溶解度参数δd可以是20以下。此外，汉森溶解度参数δp可以是4以上。在混合溶剂满足所述范围的汉森溶解度参数范围的情形下，可以确保由一实施例的墨组合物形成的发光层eml与空穴传输区域htr之间的正交性(orthogonality)，从而可以防止发光层eml的形成材料和空穴传输区域htr的形成材料彼此混合的情况。另外，δd是与分散力有关的参数，δp是与取向力有关的参数。
[0096]
混合溶剂的相对蒸发速率(rer：relative evaporation rate)可以是30000以下。在本说明书中，相对蒸发速率(rer)是在相同条件下蒸发测试溶剂所需的时间与蒸发参考溶剂所需的时间之比。在一实施例中，参考溶剂为二乙醚(diethyl ether)，二乙醚(diethyl ether)的相对蒸发速率(rer)为1。然而，参考溶剂不限于此。
[0097]
测试溶剂的相对蒸发速率(rer)越大，相比于参考溶剂，测试溶剂的蒸发速率越慢。各种溶剂可以具有固有的相对蒸发速率(rer)。特定溶剂的蒸发速率可以通过相对蒸发速率(rer)来预测。
[0098]
混合溶剂的相对蒸发速率(rer)可以根据第一溶剂和第二溶剂的分子量(molecular weight)(g/mol)以及含量而变化。
[0099]
一实施例的混合溶剂的蒸发结束温度可以是150℃以下。优选地，混合溶剂的蒸发结束温度可以是130℃以下。在本发明中，通过同时控制混合溶剂的蒸气压、沸点以及相对蒸发速率等，能够降低蒸发结束的温度，缩短干燥时间。另外，蒸发结束温度是指在提高温度的同时蒸发溶剂时，实现95％以上的蒸发的温度。
[0100]
在一实施例中，第一溶剂可以是芳香族溶剂。第一溶剂可以包含苯环。例如，第一溶剂可以是、苯甲酸异戊酯(isoamylbenzoate)、苯甲酸甲酯(methylbenzoate)、环己基苯(cyclohexylbenzene)或者苯甲酸异丁酯(isobutyl benzoate)等。然而，不限于此。
[0101]
在一实施例中，第二溶剂可以是醚(ether)系溶剂。例如，第二溶剂可以是二苯醚(diphenyl ether)或者丙二醇-1-单苯醚(propylene glycol-1-monophenyl ether)。然而，本发明不限于此。
[0102]
在一实施例的混合溶剂中，第一溶剂和第二溶剂的重量比可以为8:2至6:4。当满足上述范围时，可以提高发光层eml与空穴传输区域htr之间的正交性(orthogonality)，从而可以提高所形成的发光层eml的效率和寿命。
[0103]
一实施例的墨组合物包含发光材料。发光材料可以在混合溶剂中具有预定水平的溶解度。在一实施例的墨组合物中，相对于100重量份的混合溶剂，可以包含0.5重量份至15重量份的发光材料。
[0104]
发光材料所包含的化合物的种类可以根据所期望的发光波段而变化。发光材料可以包括主体化合物和掺杂剂化合物。一实施例的发光材料可以包括蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、衍生物、二氢苯并蒽衍生物或三亚苯衍生物。具体地，发光材料可以包括蒽衍生物或芘衍生物。
[0105]
发光层eml可以包含由下述化学式e-1表示的化合物作为一实施例的发光材料。由下述化学式e-1表示的化合物可以用作荧光主体化合物。
[0106]
[化学式e-1]
[0107][0108]
在化学式e-1中，r
31
至r
40
可以各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的甲硅烷基、被取代或未被取代的硫基、被取代或未被取代的氧基、被取代或未
被取代的碳原子数为1以上且10以下的烷基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上且10以下的烯基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上且30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂芳基，或者可以与相邻的基团结合而形成环。另外，r
31
至r
40
可以与相邻的基团彼此结合而形成饱和环烃或不饱和环烃。
[0109]
在化学式e-1中，c和d可以各自独立地为0以上且5以下的整数。
[0110]
化学式e-1可以由下述化合物e1至化合物e19中的任意一个表示。
[0111]
[0112][0113]
在一实施例中，发光层eml还可以包括由下述化学式e-2a或化学式e-2b表示的化合物。由下述化学式e-2a或化学式e-2b表示的化合物可以用作磷光主体材料。
[0114]
[化学式e-2a]
[0115][0116]
在化学式e-2a中，a可以为0以上且10以下的整数，并且la可以是直接结合、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上且30以下的亚芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂亚芳基。另外，在a为2以上的整数的情形下，多个la可以各自独立地为被取代或未被取代的成环碳原子数6以上且30以下的亚芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数2以上且30以下的杂亚芳基。
[0117]
此外，在化学式e-2a中，a1至a5可以各自独立地为n或者cri。ra至ri各自独立地为氢原子、重氢原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的硫基、被取代或未被取代的氧基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上且20以下的烷基、被取代或未被取代的碳原子数为2以上且20以下的烯基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上且30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂芳基，或者可以与相邻的基
团彼此结合而形成环。ra至ri可以与相邻的基团彼此结合而形成环烃或者包含n、o、s等作为成环原子的杂环。
[0118]
另外，在化学式e-2a中，选自a1至a5中的两个或三个可以为n，其余的可以为cri。
[0119]
[化学式e-2b]
[0120][0121]
在化学式e-2b中，cbz1和cbz2可以各自独立地为未被取代的咔唑基或者被成环碳原子数为6以上且30以下的芳基取代的咔唑基。lb可以是直接结合、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上且30以下的亚芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂亚芳基。b可以为0以上且10以下的整数，在b为2以上的整数的情形下，多个lb可以各自独立地为被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上且30以下的亚芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂亚芳基。
[0122]
由化学式e-2a或化学式e-2b表示的化合物可以由下述化合物群e-2的化合物中的任意一个表示。然而，在下述化合物群e-2中列出的化合物为示例性的，由化学式e-2a或化学式e-2b表示的化合物不限于在下述化合物群e-2中表示的化合物。
[0123]
[化合物群e-2]
[0124]
[0125][0126]
发光层eml还可以包括在本技术领域公知的通常的材料作为主体化合物。例如，发光层可以包括双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(dpepo：bis[2-(diphenylphosphino)phenyl]ether oxide)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp：4,4'-bis(n-carbazolyl)-1,1'-biphenyl)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mcp：1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(ppf：2,8-bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan)、4,4',4
”‑
三(咔唑-9-基)-三苯胺(tcta：4,4',4
”‑
tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine)以及1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯(tpbi：1,3,5-tris(1-phenyl-1h-benzo[d]imidazole-2-yl)benzene)中的至少一个。然而，不限于此，例如，三(8-羟基喹啉)铝(alq3：tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn：9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene)、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(tbadn：2-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene)、二苯乙烯基亚芳基化物(dsa：distyrylarylene)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(cdbp：4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn：2-methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene)、六苯基环三磷腈(cp1：hexaphenyl cyclotriphosphazene)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(ugh2：1,4-bis(triphenylsilyl)benzene)、六苯基环三硅氧烷(dpsio3：hexaphenylcyclotrisiloxane)、辛基苯基环四硅氧烷(dpsio4：octaphenylcyclotetra siloxane)等可以作为主体化合物而使用。
[0127]
发光层eml作为一实施例的发光材料还可以包括由下述化学式m-a或化学式m-b表示的化合物。由下述化学式m-a或化学式m-b表示的化合物可以用作磷光掺杂剂化合物。
[0128]
[化学式m-a]
[0129][0130]
在所述化学式m-a中，y1至y4和z1至z4各自独立地为cr1或n，r1至r4各自独立地为氢原子、重氢原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的硫基、被取代或未被取代的氧基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上且20以下的烷基、被取代或未被取代的碳原子数为2以上且20以下的烯基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上且30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂芳基，或者可以与相邻的基团彼此结合而形成环。在化学式m-a中，m为0或1，n为2或3。在化学式m-a中，当m为0时，n为3，当m为1时，n为2。
[0131]
由化学式m-a表示的化合物可以用作磷光掺杂剂。
[0132]
由化学式m-a表示的化合物可以由下述化合物m-a1至m-a25中的任意一个表示。然而，下述化合物m-a1至m-a25为示例性的，由化学式m-a表示的化合物不限于由下述化合物m-a1至m-a25表示的化合物。
[0133]
[0134][0135]
化合物m-a1和化合物m-a2可以用作红色掺杂剂材料，化合物m-a3至化合物m-a7可以用作绿色掺杂剂材料。
[0136]
[化学式m-b]
[0137][0138]
在化学式m-b中，q1至q4各自独立地为c或n，并且c1至c4各自独立地为被取代或未被取代的成环碳原子数为5以上且30以下的环烃或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂环。l
21
至l
24
各自独立地表示直接结合、*-o-*、*-s-*、*、或者表示被取代或未被取代的碳原子数为1以上且20以下的二价烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上且30以下的亚芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂亚芳基，并且e1至e4各自独立地为0或1。r
31
至r
39
各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、氰基、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上且20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上且30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂芳基，或者与相邻的基团彼此结合而形成环，d1至d4各自独立地为0以上且4以下的整数。
[0139]
由化学式m-b表示的化合物可以用作蓝色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。
[0140]
由化学式m-b表示的化合物可以由下述化合物中的任意一个表示。然而，下述化合物为示例性的，由化学式m-b表示的化合物不限于由下述化合物表示的化合物。
[0141][0142]
在所述化合物中，r、r
38
以及r
39
可以各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、氰基、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上且20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上且30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂芳基。
[0143]
除了一实施例的发光高分子化合物之外，发光层eml还可以包含由下述化学式f-a至化学式f-c中的任意一个表示的化合物。由下述化学式f-a至化学式f-c表示的化合物可以用作荧光掺杂剂材料。
[0144]
[化学式f-a]
[0145][0146]
在所述化学式f-a中，选自ra至rj中的两个可以各自独立地被*-nar1ar2取代。ra至rj中未被*-nar1ar2取代的其余部分可以各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、氰基、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上且20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上且30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂芳基。其中，在*-nar1ar2中，ar1和ar2可以各自独立地为被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上且30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂芳基。例如，ar1和ar2中的至少一个可以是包含o或s作为成环原子的杂芳基。
[0147]
[化学式f-b]
[0148][0149]
在所述化学式f-b中，ra和rb可以各自独立地为氢原子、重氢原子、被取代或未被取代的碳原子数为1以上且20以下的烷基、被取代或未被取代的碳原子数为2以上且20以下的烯基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上且30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂芳基，或者可以与相邻的基团彼此结合而形成环。
[0150]
在化学式f-b中，u和v可以各自独立地为被取代或未被取代的成环碳原子数为5以上且30以下的环烃或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂环。
[0151]
在化学式f-b中，由u和v表示的环的数量可以各自独立地为0或1。例如，在化学式f-b中的u或v的数量为1的情形下，在记载为u或v的部分由一个环构成缩合环，在u或v的数量为0的情形下，意味着不存在记载有u或v的环。具体地，在u的数量为0且v的数量为1的情形下，或者在u的数量为1且v的数量为0的情形下，化学式f-b的具有芴核的缩合环可以为四元环化合物。此外，在u和v的数量均为0的情形下，化学式f-b的具有芴核的缩合环可以是三元环化合物。此外，在u和v的数量均为1的情形下，化学式f-b的具有芴核的缩合环可以是五元环化合物。
[0152]
[化学式f-c]
[0153][0154]
在化学式f-c中，a1和a2各自独立地为o、s、se或nrm，并且rm可以为氢原子、重氢原子、被取代或未被取代的碳原子数为1以上且20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上且30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂芳基。r1至r
11
各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、氰基、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的硼基、被取代或未被取代的氧基、被取代或未被取代的硫基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上且20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上且30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上且30以下的杂芳基，或者与相邻的基团彼此结合而形成环。
[0155]
在化学式f-c中，a1和a2可以各自独立地与相邻的环的取代基结合而形成缩合环。例如，当a1和a2各自独立地为nrm时，a1可以与r4或r5结合而形成环。并且，a2可以与r7或r8结合而形成环。
[0156]
在一实施例中，发光层eml作为一实施例的发光材料还可以包括苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-n-乙基咔唑基)乙烯基]苯(bczvb：1,4-bis[2-(3-n-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene)、4-(二-对甲苯基氨基)-4'-[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯(dpavb：4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene)、n-(4-((e)-2-(6-((e)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-n-苯基苯胺(n-bdavbi：n-(4-((e)-2-(6-((e)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-n-phenylbenzenamine)、4,4'-双[2-(4-(n,n-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(dpavbi：4,4'-bis[2-(4-(n,n-diphenylamino)phenyl)vinyl]biphenyl))、苝及其衍生物(例如，2,5,8,11-四叔丁基苝(tbp：2,5,8,11-tetra-t-butylperylene))、芘及其衍生物(例如，1,1'-二芘(1,1'-dipyrene)、1,4-二芘基苯(1,4-dipyrenylbenzene)、1,4-双(n,n-二苯基氨基)芘(1,4-bis(n,n-diphenylamino)pyrene))等公知的掺杂剂材料。
[0157]
发光层eml作为一实施例的发光材料，还可以包含公知的磷光掺杂剂物质。例如，磷光掺杂剂可以使用包含铱(ir)、铂(pt)、锇(os)、金(au)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)或铥(tm)的金属配合物。具体地，可以使用双(4,6-二氟苯基吡啶-n,c2')吡啶甲酰合铱(iii)(firpic：iridium(iii)bis(4,6-difluorophenylpyridinato-n,c2')picolinate)、双(2,4-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸铱(ⅲ)(fir6：bis(2,4-difluorophenylpyridinato)-tetrakis(1-pyrazolyl)borate iridium(ⅲ))或者八乙基卟吩铂(ptoep：platinum octaethyl porphyrin)作为磷光掺杂剂而使用。然而，实施例不限于此。
[0158]
在图3至图7示出的一实施例的发光元件ed中，电子传输区域etr提供于发光层eml
上。电子传输区域etr可以包括空穴阻挡层hbl、电子传输层etl以及电子注入层eil中的至少一个，但实施例不限于此。
[0159]
电子传输区域etr可以具有由单一物质构成的单一层结构、由多个彼此不同的物质构成的单一层结构或者具有由多个彼此不同的物质构成的多个层的多层结构。
[0160]
例如，电子传输区域etr可以具有电子注入层eil或者电子传输层etl的单一层的结构，也可以具有利用电子注入物质和电子传输物质构成的单一层结构。并且，电子传输区域etr可以具有由多个彼此不同的物质构成的单一层的结构，或者具有从发光层eml依次堆叠的电子传输层etl/电子注入层eil、空穴阻挡层hbl/电子传输层etl/电子注入层eil结构，但并不限于此。电子传输区域etr的厚度例如可以为约至约
[0161]
电子传输区域etr可以利用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、lb法(langmuir-blodgett)、喷墨印刷法、激光印刷法、激光热转印法(liti：laser induced thermal imaging)等多种方法形成。
[0162]
电子传输区域etr可以包括蒽系化合物。然而，不限于此，电子传输区域etr例如可以包括三(8-羟基喹啉)铝(alq3：tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯(1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene)、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪(2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine)、2-(4-(n-苯基苯并咪唑-1-基苯基))-9,10-二萘蒽(2-(4-(n-phenylbenzoimidazol-1-ylphenyl))-9,10-dinaphthylanthracene)、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯(tpbi：1,3,5-tri(1-phenyl-1h-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp：2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen：4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz：3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tbu-pbd：2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-n1,o8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(balq：bis(2-methyl-8-quinolinolato-n1,o8)-(1,1'-biphenyl-4-olato)aluminum)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(bebq2：berylliumbis(benzoquinolin-10-olate))、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn：9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene)、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(bmpyphb：1,3-bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene)或者它们的混合物。
[0163]
此外，电子传输区域etr可以包括：卤化金属，诸如lif、nacl、csf、rbcl、rbi、cui、ki；镧系金属，诸如yb；以及如上所述的卤化金属和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传输区域etr可以包括ki:yb、rbi:yb等作为共沉积材料。另外，电子传输区域etr可以使用诸如li2o、bao之类的金属氧化物或8-羟基-喹啉锂(liq：8-hydroxyl-lithium quinolate)等，但实施例不限于此。电子传输区域etr还可以利用将电子传输物质和绝缘性的有机金属盐(organo metal salt)混合的物质构成。有机金属盐可以是能带隙(energy band gap)大致为4ev以上的物质。具体地，例如，有机金属盐可以包括金属乙酸盐(metal acetate)、金属苯甲酸盐(metal benzoate)、金属乙酰乙酸盐(metal acetoacetate)、金属乙酰丙酮盐(metal acetylacetonate)或金属硬脂酸盐(metal stearate)。
[0164]
除了上述提及的材料之外，电子传输区域etr还可以包括2,9-二甲基-4,7-二苯
基-1,10-菲咯啉(bcp：2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)及4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen：4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)中的至少一个，但实施例不限于此。
[0165]
对于电子传输区域etr而言，可以在电子注入层eil、电子传输层etl以及空穴阻挡层hbl中的至少一个包括上述的电子传输区域的化合物。
[0166]
在电子传输区域etr包括电子传输层etl的情形下，电子传输层etl的厚度可以为约至约(例如，约至约)。在电子传输层etl的厚度满足如上所述的范围的情形下，可以在不实质性地增大驱动电压的情况下获得令人满意的程度的电子传输特性。在电子传输区域etr包括电子注入层eil的情形下，电子注入层eil的厚度可以为约至约约至约在电子注入层eil的厚度满足如上所述的范围的情形下，可以在不实质性地增大驱动电压的情况下获得令人满意的程度的电子注入特性。
[0167]
第二电极el2提供于电子传输区域etr上。第二电极el2可以是公共电极。第二电极el2可以是阴极(cathode)或阳极(anode)，但实施例不限于此。例如，在第一电极el1是阳极的情形下，第二电极el2可以是阴极，在第一电极el1是阴极的情形下，第二电极el2可以是阳极。
[0168]
第二电极el2可以是透射型电极、半透射型电极或反射型电极。在第二电极el2为透射型电极的情形下，第二电极el2可以利用透明金属氧化物(例如，氧化铟锡(ito：indium tin oxide)、氧化铟锌(izo：indium zinc oxide)、氧化锌(zno：zinc oxide)、氧化铟锡锌(itzo：indium tin zinc oxide)等)构成。
[0169]
在第二电极el2是半透射型电极或反射型电极的情形下，第二电极el2可以包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif、mo、ti、yb、w、包含它们的化合物和混合物(例如，agmg、agyb或mgyb)以及具有诸如lif/ca或lif/al的多层结构的材料中的至少一个。或者，第二电极el2可以是包括利用上述物质形成的反射膜或半透射膜及利用氧化铟锡(ito：indium tin oxide)、氧化铟锌(izo：indium zinc oxide)、氧化锌(zno：zinc oxide)、氧化铟锡锌(itzo：indium tin zinc oxide)等形成的透明导电膜的多个层结构。例如，第二电极el2可以包括上述的金属材料、选自上述的金属材料中的两种以上的金属材料的组合、或上述的金属材料的氧化物等。
[0170]
尽管未示出，但是第二电极el2可以与辅助电极连接。如果第二电极el2与辅助电极连接，则可以减小第二电极el2的电阻。
[0171]
另外，在一实施例的发光元件ed的第二电极el2上还可以布置有封盖层cpl。封盖层cpl可以包括多层或单层。
[0172]
在一实施例中，封盖层cpl可以是有机层或无机层。例如，在封盖层cpl包括无机物的情形下，无机物可以包括lif等的碱金属化合物、mgf2等的碱土金属化合物、sion、sin
x
、sioy等。
[0173]
例如，在封盖层cpl包括有机物的情形下，有机物可以包括α-npd、npb、tpd、m-mtdata、alq3、cupc、n4,n4,n4',n4'-四(联苯-4-基)联苯-4,4'-二胺(tpd15：n4,n4,n4',n4'-tetra(biphenyl-4-yl)biphenyl-4,4'-diamine)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(tcta：4,4',4"-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine)等，或可以包括环氧树脂或诸如甲基丙烯酸酯之类的丙烯酸酯。然而，实施例不限于此，封盖层cpl可以包括如下述的化合物
p1至化合物p5中的至少一个。
[0174][0175][0176]
另外，封盖层cpl的折射率可以为1.6以上。具体地，对于550nm以上且660nm以下的波长范围的光，封盖层cpl的折射率可以为1.6以上。
[0177]
图7和图8分别是根据一实施例的显示装置的剖面图。以下，在对参照图7和图8说明的一实施例的显示装置的说明中，不再对与上述的图1至图6中说明的内容重复的内容进行说明，而是以区别点为主进行说明。
[0178]
参照图7，根据一实施例的显示装置dd可以包括包含显示元件层dp-ed的显示面板dp，布置于显示面板dp上的光控制层ccl以及滤色器层cfl。
[0179]
在如图7所示的一实施例中，显示面板dp可以包括基底层bs、提供于基底层bs上的电路层dp-cl以及显示元件层dp-ed，显示元件层dp-ed可以包括发光元件ed。
[0180]
发光元件ed可以包括第一电极el1、布置于第一电极el1上的空穴传输区域htr、布置于空穴传输区域htr上的发光层eml、布置于发光层eml上的电子传输区域etr以及布置于电子传输区域etr上的第二电极el2。另外，上述的图3至图6的发光元件的结构可以同样地应用于如图8所示的发光元件ed的结构。
[0181]
参照图7，发光层eml可以布置于定义在像素限定膜pdl的开口部oh内。例如，借由像素限定膜pdl划分而以与各个发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b对应的方式提供的发光层eml可以发出相同的波段的光。在一实施例的显示装置dd中，发光层eml可以发出蓝色光。另外，与图示不同，在一实施例中，发光层eml可以在整个发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b提供为公共层。
[0182]
光控制层ccl可以布置于显示面板dp上。光控制层ccl可以包括光转换体。光转换体可以是量子点或荧光体等。光转换体可以对所接收的光进行波长转换而发出。即，光控制层ccl可以是包含量子点的层或包含荧光体的层。
[0183]
光控制层ccl可以包括多个光控制部ccp1、ccp2、ccp3。光控制部ccp1、ccp2、ccp3可以彼此隔开。
[0184]
参照图7，在彼此隔开的光控制部ccp1、ccp2、ccp3之间可以布置有分割图案bmp，但实施例不限于此。虽然在图7中示出了分割图案bmp与光控制部ccp1、ccp2、ccp3不重叠的情形，但是光控制部ccp1、ccp2、ccp3的边缘的至少一部分可以与分割图案bmp重叠。
[0185]
光控制层ccl可以包括：第一光控制部ccp1，包括将从发光元件ed提供的第一颜色光转换为第二颜色光的第一量子点qd1；第二光控制部，包括将第一颜色光转换为第三颜色光的第二量子点qd2；以及第三光控制部ccp3，使第一颜色光透射。
[0186]
在一实施例中，第一光控制部ccp1可以提供作为第二颜色光的红色光，第二光控制部ccp2可以提供作为第三颜色光的绿色光。第三光控制部ccp3可以使从发光元件ed提供的作为第一颜色光的蓝色光透射。例如，第一量子点qd1可以是红色量子点，第二量子点qd2可以是绿色量子点。
[0187]
量子点的核可以选自ii-vi族化合物、iii-vi族化合物、i-iii-vi族化合物、iii-v族化合物、iii-ii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素、iv族化合物及它们的组合。
[0188]
ii-vi族化合物可以选自由以下化合物构成的群：二元化合物，选自由cdse、cdte、cds、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs以及它们的混合物构成的群；三元化合物，选自由cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns以及它们的混合物构成的群；以及四元化合物，选自由cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste以及它们的混合物构成的群。
[0189]
iii-vi族化合物可以包括：二元化合物，诸如in2s3、in2se3等；三元化合物，诸如ingas3、ingase3等；或者它们的任意组合。
[0190]
i-iii-vi族化合物可以选自：三元化合物，选自由agins、agins2、cuins、cuins2、aggas2、cugas2、cugao2、aggao2、agalo2以及它们的混合物构成的群；或者四元化合物，agingas2、cuingas2等。
[0191]
iii-v族化合物可以选自由以下化合物构成的群：二元化合物，选自由gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb以及它们的混合物构成的群；三元化合物，选自由ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb以及它们的混合物构成的群；以及四元化合物，选自由gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb以及它们的混合物构成的群。另外，iii-v族化合物还可以包括ii族金属。例如，作为iii-ii-v族化合物，可以选择inznp等。
[0192]
iv-vi族化合物可以选自由以下化合物构成的群：二元化合物，选自由sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte以及它们的混合物构成的群；三元化合物，选自由snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte以及它们的混合物构成的群；以及四元化合物，选自由snpbsse、snpbsete、snpbste以及它们的混合物构成的群。iv族元素可以选自由si、ge以及它们的混合物构成的群。iv族化合物可以是选自由sic、sige以及它们的混合物构成的群的二元化合物。
[0193]
此时，二元化合物、三元化合物或者四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以浓度分布局部不同的状态分散地存在于同一颗粒中。并且，还可以具有一个量子点围绕其他量子点的核/壳结构。在核/壳的结构中，可以具有存在于壳的元素的浓度随着靠近核而变低的浓度梯度(gradient)。
[0194]
在一些实施例中，量子点可以具有包括包含前述的纳米晶体的核以及围绕所述核的壳的核-壳结构。所述量子点的壳可以执行用于防止所述核的化学变性而维持半导体特性的保护层作用和/或用于向量子点赋予电泳特性的充电层(charging layer)的作用。所述壳可以是单层或者多重层。作为所述量子点的壳的示例，可以有金属或者非金属的氧化物、半导体化合物或者它们的组合等。
[0195]
例如，所述金属或者非金属的氧化物可以例示出：二元化合物，诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4、nio等；或者三元化合物，诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4、comn2o4等，但本发明不限于此。
[0196]
并且，所述半导体化合物可以例示出cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gas b、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb等，但本发明不限于此。
[0197]
量子点可以具有约45nm以下，优选为约40nm以下，更加优选为约30nm以下的发光波长光谱的半峰全宽(fwhm：full width of half maximum)，在此范围内，可以提高色彩纯度或者色彩再现性。并且，通过这种量子点发出的光向所有方向发出，从而可以提高光视角。
[0198]
并且，量子点的形态不受特别限制，只要是本领域通常使用的形态即可，但更加具体地，可以使用球形、金字塔形、多臂形(multi-arm)或者立方体(cubic)的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板等形态。
[0199]
量子点可以根据颗粒大小来调节发出的光的颜色，据此，量子点可以具有蓝色、红色、绿色等多种发光颜色。
[0200]
再次参照图7，光控制层ccl还可以包括散射体sp。第一光控制部ccp1可以包括第一量子点qd1和散射体sp，第二光控制部ccp2可以包括第二量子点qd2和散射体sp，第三光
控制部ccp3可以不包括量子点但包括散射体sp。
[0201]
散射体sp可以是无机颗粒。例如，散射体sp可以包括tio2、zno、al2o3、sio2以及中空二氧化硅中的至少一种。散射体sp可以包括tio2、zno、al2o3、sio2及中空二氧化硅中的任一种，或者可以是混合选自tio2、zno、al2o3、sio2及中空二氧化硅中的两种以上的物质。
[0202]
第一光控制部ccp1、第二光控制部ccp2以及第三光控制部ccp3中的每一个可以包括使量子点qd1、qd2以及散射体sp分散的基础树脂br1、br2、br3。在一实施例中，第一光控制部ccp1可以包括分散在第一基础树脂br1内的第一量子点qd1和散射体sp，第二光控制部ccp2可以包括分散在第二基础树脂br2内的第二量子点qd2和散射体sp，第三光控制部ccp3可以包括分散在第三基础树脂br3内的散射体sp。基础树脂br1、br2、br3作为分散量子点qd1、qd2以及散射体sp的介质，通常可以利用可以被称为粘合剂的各种树脂组合物构成。例如，基础树脂br1、br2、br3可以是丙烯酸类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、硅类树脂、环氧类树脂等。基础树脂br1、br2、br3可以是透明树脂。在一实施例中，第一基础树脂br1、第二基础树脂br2以及第三基础树脂br3中的每一个可以彼此相同或不同。
[0203]
光控制层ccl可以包括第一阻挡层bfl1。第一阻挡层bfl1可以防止水分和/或氧气(以下，称为“水分/氧气”)的渗透。第一阻挡层bfl1可以布置于光控制部ccp1、ccp2、ccp3下方，以阻断光控制部ccp1、ccp2、ccp3暴露于水分/氧气。另外，第一阻挡层bfl1可以覆盖光控制部ccp1、ccp2、ccp3。并且，在光控制部ccp1、ccp2、ccp3与滤光器cf1、cf2、cf3之间也可以提供有第二阻挡层bfl2。
[0204]
阻挡层bfl1、bfl2可以包括至少一个无机层。即，阻挡层bfl1、bfl2可以构成为包括无机物质。例如，阻挡层bfl1、bfl2可以包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物以及硅氮氧化物或确保透射率的金属薄膜等而构成。另外，阻挡层bfl1、bfl2还可以包括有机膜。阻挡层bfl1、bfl2可以构成为单一层或多个层。
[0205]
在一实施例的显示装置dd中，滤色器层cfl可以布置于光控制层ccl上。例如，滤色器层cfl可以直接布置于光控制层ccl上。在此情形下，第二阻挡层bfl2可以被省略。
[0206]
滤色器层cfl可以包括遮光部bm及滤光器cf1、cf2、cf3。滤色器层cfl可以包括使第二颜色光透射的第一滤光器cf1、使第三颜色光透射的第二滤光器cf2以及使第一颜色光透射的第三滤光器cf3。例如，第一滤光器cf1可以是红色滤光器，第二滤光器cf2可以是绿色滤光器，第三滤光器cf3可以是蓝色滤光器。滤光器cf1、cf2、cf3中的每一个可以包括高分子感光树脂和颜料或染料。第一滤光器cf1可以包括红色颜料或染料，第二滤光器cf2可以包括绿色颜料或染料，第三滤光器cf3可以包括蓝色颜料或染料。另外，实施例不限于此，第三滤光器cf3可以不包含颜料或染料。第三滤光器cf3可以包括高分子感光树脂而不包括颜料或染料。第三滤光器cf3可以是透明的。第三滤光器cf3可以利用透明感光树脂形成。
[0207]
此外，在一实施例中，第一滤光器cf1和第二滤光器cf2可以是黄色(yellow)滤光器。第一滤光器cf1和第二滤光器cf2也可以一体地提供而不彼此区分。
[0208]
遮光部bm可以是黑色矩阵。遮光部bm可以包括包含黑色颜料或黑色染料的有机遮光物质或无机遮光物质而形成。遮光部bm可以防止漏光现象，并区分邻近的滤光器cf1、cf2、cf3之间的边界。此外，在一实施例中，遮光部bm可以利用蓝色滤光器形成。
[0209]
第一滤光器cf1、第二滤光器cf2、第三滤光器cf3可以分别与红色发光区域pxa-r、
绿色发光区域pxa-g以及蓝色发光区域pxa-b对应地布置。
[0210]
滤色器层cfl上可以布置有基底基板bl。基底基板bl可以是提供布置滤色器层cfl以及光控制层ccl等的基础面的部件。基底基板bl可以是玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，实施例不限于此，基底基板bl可以是无机层、有机层或复合材料层。此外，与图示不同地，在一实施例中，基底基板bl可以被省略。
[0211]
图8是示出根据一实施例的显示装置的一部分的剖面图。在图8中示出了与图7的显示面板dp对应的一部分的剖面图。在一实施例的显示装置dd-td中，发光元件ed-bt可以包括多个发光结构ol-b1、ol-b2、ol-b3。发光元件ed-bt可以包括彼此面对的第一电极el1和第二电极el2以及在第一电极el1与第二电极el2之间沿厚度方向依次堆叠而提供的多个发光结构ol-b1、ol-b2、ol-b3。发光结构ol-b1、ol-b2、ol-b3中的每一个可以包括发光层eml(图7)、将发光层eml(图7)置于之间而布置的空穴传输区域htr以及电子传输区域etr。
[0212]
即，包括在一实施例的显示装置dd-td的发光元件ed-bt可以是包括多个发光层的串联(tandem)结构的发光元件。
[0213]
在图8所示的一实施例中，从发光结构ol-b1、ol-b2、ol-b3中的每一个发出的光可以全部是蓝色光。然而，实施例不限于此，从发光结构ol-b1、ol-b2、ol-b3中的每一个发出的光的波段可以彼此不同。例如，包括发出彼此不同的波段的光的多个发光结构ol-b1、ol-b2、ol-b3的发光元件ed-bt可以发出白色光。
[0214]
相邻的发光结构ol-b1、ol-b2、ol-b3之间可以布置有电荷产生层cgl。电荷产生层cgl可以包括p型电荷产生层和/或n型电荷产生层。
[0215]
以下，参照图9至图12对根据一实施例的发光元件的制造方法进行详细说明。不再对上述的发光元件的结构性特征进行说明，而是对制造方法的特征进行详细说明。
[0216]
图9是根据一实施例的发光元件的制造方法的流程图。图10是根据一实施例的发光元件的制造方法的一步骤的具体流程图。图11和图12是示意性地示出根据一实施例的发光元件的制造方法的一步骤的图。
[0217]
参照图9，根据一实施例的发光元件的制造方法包括：提供第一电极的步骤(s100)、形成空穴传输区域的步骤(s300)、形成发光层的步骤(s500)、形成第二电极的步骤(s700)。形成空穴传输区域的步骤(s300)可以是在第一电极上形成空穴传输区域的步骤。形成发光层的步骤(s500)可以是在空穴传输区域上形成发光层的步骤。形成第二电极的步骤(s700)可以是在发光层上形成第二电极的步骤。
[0218]
图10是形成发光层的步骤(s500)的具体流程图。参照图10，形成发光层的步骤(s500)可以包括提供墨组合物的步骤(s510)以及提供热量或光的步骤(s520)。
[0219]
图11是示意性地示出根据一实施例的提供墨组合物的步骤(s510)的图。参照图11，根据一实施例的提供墨组合物的步骤(s510)可以是利用喷嘴nz在空穴传输区域htr上提供墨组合物icp来形成预发光层p-eml的步骤。提供墨组合物icp的步骤(s510)可以通过喷墨印刷法执行。
[0220]
墨组合物icp包括包含第一溶剂和第二溶剂的混合溶剂和发光材料。可以将在先说明的关于墨组合物的内容同样地应用于对墨组合物icp的说明。
[0221]
图12是示意性地示出提供热量的步骤(s520)的图。提供热量的步骤(s520)可以是向预发光层p-eml提供热量来使混合溶剂的一部分蒸发的步骤。在提供热量的步骤(s520)
中，热量的温度可以为160℃以下。由于包括在墨组合物icp的第一溶剂和第二溶剂各自的蒸气压为1
×
10-4
以上，沸点为270℃以下，并且包含第一溶剂和第二溶剂的混合溶剂的相对蒸发速率为30000以下，从而可以在提供160℃以下的热量的同时缩短形成发光层eml的工艺时间。
[0222]
在下文中，将通过具体实施例和比较例更详细地说明本发明。下述实施例仅用于帮助理解本发明的例示，本发明的范围并不限定于此。
[0223]
下表1示出了分别包含在比较例的混合溶剂和实施例的混合溶剂中的溶剂的蒸气压(v.p)、沸点(b.p)以及相对蒸发速率(rer)，并示出了比较例的混合溶剂和实施例的混合溶剂各自的相对蒸发速率(rer of mixture)。
[0224]
【表1】
[0225]
[0226][0227]
下表2示出了将ibb:dpe的比例改变为与在实施例1的比例不同的混合溶剂的相对蒸发速率(rer of mixture)。实施例1-1的ibb:dpe的比例为6:4，实施例1-2的ibb:dpe的比例为6.2:3.8，实施例1-3的ibb:dpe的比例为7:3。
[0228]
【表2】
[0229][0230]
1、测量蒸发结束温度
[0231]
测量比较例1的混合溶剂的蒸发结束温度的结果为160℃。
[0232]
实施例1的蒸发结束温度为160℃，实施例2的蒸发结束温度为约130℃至135℃。因此，可以确认，通过同时控制混合溶剂的蒸气压、沸点及相对蒸发速率等，可以降低蒸发结
束的温度。
[0233]
2、评价溶出实验
[0234]
对于比较例和实施例，进行了对空穴传输化合物的溶出实验。图13是示出针对汉森溶解度参数δd大于20且δp小于4的空穴传输化合物的各个溶剂的溶出数据的图表。图13示出了在各个混合溶剂中的空穴传输化合物的溶出的时间和含量(％)。
[0235]
参照图13，比较例1(em11)在30分钟和10分钟内溶出的情形下均表现出2.0％以上的溶出含量。相反，实施例1-1(dpe40)和实施例1-2(dpe38)在30分钟和10分钟内溶出的情形下均表现出小于2.0％的溶出含量，并且即使溶出时间已过，溶出量相比于比较例1也没有显著增加。因此，可以确认，在与本发明的墨组合物的空穴传输区域之间关系中，确保了与发光层eml的正交性(orthogonality)。另外，在实施例1-1中，ibb:dpe的比例为6:4，并且在实施例1-2中，ibb:dpe的比例为6.2:3.8。
[0236]
3、评价发光元件的特性
[0237]
评价根据本发明的发光元件的制造方法形成的发光元件的特性并示于下表3中。比较例和实施例的发光元件中，利用包含混合溶剂和相同的绿色发光材料的墨组合物形成了发光层，除了混合溶剂的种类之外，均相同。在比较例a中，利用包含表1的比较例1的混合溶剂的墨组合物形成了发光层。在实施例a中，利用包含表1的实施例1的混合溶剂的墨组合物形成了发光层。在实施例b中，利用包含实施例1-3的混合溶剂的墨组合物形成了发光层，其中，实施例1-3的混合溶剂中的ibb:dpe的比例为7:3。
[0238]
【表3】
[0239][0240][0241]
参考表3，可以确认，相比于比较例1，实施例1和实施例1-3实现了低电压及高效率。此外，可以确认，相比于比较例1，实施例1表现出长寿命特性。
[0242]
4、评价干燥速度
[0243]
通过喷嘴将比较例和实施例的混合墨喷射沉积在同一基板上以形成图案。然后，在160℃的温度下干燥15分钟，并评价了干燥速度。图14示出了对emb:iibp的比例为82:18的比较例1的混合溶剂(em11)、ibb:dpe的比例为80:20的实施例1的混合溶剂以及ibb:dpe的比例为90:10的实施例1-4的混合溶剂进行干燥速度评价的结果。
[0244]
参照图14，可以确认，在比较例1的情形下，即使经过15分钟，混合溶剂的量也没有减少。相反，在实施例中经过1分钟后便可以确认，由于混合溶剂的干燥，混合溶剂的量明显减少。
[0245]
以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但只要是本技术领域的熟练的技术人员或本领域中具备普通知识的人员就能够理解为，在不脱离记载于权利要求范围的本发明的思想及技术领域的范围内，可以对本发明进行多种修改及变更。
[0246]
因此，本发明的技术范围并不限定于说明书的详细说明中所记载的内容，而应由权利要求范围确定。