墨组合物、发光元件及该发光元件的制造方法与流程

文档序号:33649047发布日期:2023-03-29 06:33阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种墨组合物,包括:混合溶剂,包含第一溶剂和第二溶剂;以及发光材料,其中,所述第一溶剂和所述第二溶剂各自的蒸气压为1
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以上,沸点为270℃以下。2.根据权利要求1所述的墨组合物,其中,所述混合溶剂的相对蒸发速率为30,000以下。3.根据权利要求1所述的墨组合物,其中,所述混合溶剂的汉森溶解度参数δd为20以下且δp为4以上。4.根据权利要求1所述的墨组合物,其中,所述第一溶剂为芳香族溶剂。5.根据权利要求4所述的墨组合物,其中,所述第二溶剂为醚系溶剂。6.根据权利要求5所述的墨组合物,其中,所述第一溶剂和所述第二溶剂的重量比为8:2至6:4。7.根据权利要求1所述的墨组合物,其中,所述混合溶剂的蒸发结束温度为150℃以下。8.根据权利要求1所述的墨组合物,其中相对于所述混合溶剂100重量份,包括0.5重量份至15重量份的所述发光材料。9.根据权利要求1所述的墨组合物,其中,所述发光材料包括主体化合物和掺杂剂化合物。10.一种发光元件,包括:第一电极;空穴传输区域,布置于所述第一电极上;发光层,布置于所述空穴传输区域上,包括包含第一溶剂和第二溶剂的混合溶剂和发光材料;以及第二电极,布置于所述发光层上,其中,所述第一溶剂和所述第二溶剂各自的蒸气压为1
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以上,沸点为270℃以下。11.根据权利要求10所述的发光元件,其中,所述混合溶剂的相对蒸发速率为30,000以下。12.根据权利要求10所述发光元件,其中,所述混合溶剂的汉森溶解度参数δd为20以下且δp为4以上。13.根据权利要求12所述发光元件,其中,所述空穴传输区域包括空穴传输化合物,所述空穴传输化合物的汉森溶解度参数δd大于20且δp小于4。14.根据权利要求10所述发光元件,还包括:封盖层,布置于所述第二电极上,所述封盖层的折射率为1.6以上。15.一种发光元件的制造方法,包括如下步骤:提供第一电极;
在所述第一电极上形成空穴传输区域;在所述空穴传输区域上提供墨组合物而形成发光层;以及在所述发光层上形成第二电极,其中,所述墨组合物包括包含第一溶剂和第二溶剂的混合溶剂和发光材料,所述第一溶剂和所述第二溶剂各自的蒸气压为1
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以上,沸点为270℃以下。16.根据权利要求15所述发光元件的制造方法,其中,所述混合溶剂的汉森溶解度参数δd为20以下且δp为4以上。17.根据权利要求15所述发光元件的制造方法,其中,形成所述发光层的步骤包括利用喷墨印刷法提供所述墨组合物的步骤。18.根据权利要求16所述发光元件的制造方法,其中,形成所述发光层的步骤包括:提供所述墨组合物而形成预发光层的步骤;以及向所述预发光层提供热量的步骤。19.根据权利要求18所述发光元件的制造方法,其中,向所述预发光层提供热量的步骤中所提供的热量的温度为160℃以下。20.根据权利要求15所述发光元件的制造方法,其中,相对于所述混合溶剂100重量份,包括0.5重量份至15重量份的所述发光材料。

技术总结
公开一种墨组合物、发光元件及该发光元件的制造方法。一实施例提供一种墨组合物,包括:混合溶剂,包含第一溶剂和第二溶剂;以及发光材料,其中,第一溶剂和第二溶剂各自的蒸气压为1


技术研发人员:朴元俊 金世勳 河在国
受保护的技术使用者:三星显示有限公司
技术研发日:2022.09.21
技术公布日:2023/3/28
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