1.一种lamb波谐振器，其特征在于，包括谐振器主体结构；所述谐振器主体结构包括自上而下依次设置的顶部叉指电极结构(8)、压电振动结构(7)和底部叉指电极结构(5)，所述底部叉指电极结构(5)由若干个横截面为等腰梯形的底部电极构成，所述底部电极的上表面与压电振动结构(7)下表面处于同一平面，所述底部电极的下表面宽度大于上表面宽度，所述底部电极的边缘剪切角趋近于60°。
2.根据权利要求1所述的lamb波谐振器，其特征在于，所述lamb波谐振器还包括衬底(1)，所述衬底(1)设置于所述谐振器主体结构的下方，所述衬底(1)具有中部内凹的释放腔(3)且上表面沉积有释放保护层(2)的衬底(1)，所述释放腔(3)的深度为1μm，所述衬底(1)为电阻率5000～10000ω*cm的高阻硅，所述衬底(1)的厚度为500-600μm。
3.根据权利要求1所述的lamb波谐振器，其特征在于，所述lamb波谐振器还包括设置于所述顶部叉指电极结构(8)四周的顶部焊盘(9)和设置于所述底部叉指电极结构(5)四周的底部焊盘(6)，所述顶部叉指电极结构(8)由铝电极构成，所述顶部焊盘(9)为铝焊盘，所述底部电极为低阻硅电极，所述底部焊盘(6)为低阻硅焊盘。
4.根据权利要求2所述的lamb波谐振器，其特征在于，所述释放保护层(2)为二氧化硅层，所述释放保护层(2)的厚度为1μm。
5.根据权利要求1所述的lamb波谐振器，其特征在于，所述顶部电极的数量为6-100个，厚度为150nm，周期为1.4-2μm，宽度为0.7-1μm；所述底部电极的数量为6-100个，厚度为150nm，周期为1.4-2μm，电极的宽度为0.7-1μm。
6.根据权利要求1所述的lamb波谐振器，其特征在于，所述压电振动结构(7)为氮化铝压电薄膜，所述压电振动结构(7)厚度为1μm。
7.权利要求1-6任一项所述的lamb波谐振器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤s3具体为：在平坦化后的衬底(1)上表面键合100晶向的低阻硅，干法刻蚀形成底部焊盘(6)和叉指电极图案后，进行时长为20秒的各向异性的湿法刻蚀，形成由趋近于60°边缘剪切角的底部电极所构成的底部叉指电极结构(5)，去胶，得到具有底部叉指电极结构(5)的晶圆。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀具体为：采用33％的氢氧化钾溶液作为湿法刻蚀液。