1.一种双功能无铅钙钛矿光电器件，其特征在于，所述双功能无铅钙钛矿光电器件从下至上依次为：ito玻璃基板、pedot:pss层、csbi3i10钙钛矿活性材料/pcbm异质结层、金属电极层；所述ito玻璃基板为经过预处理的ito玻璃基板，pedot:pss层通过旋涂和退火沉积在ito玻璃基板上，csbi3i10钙钛矿活性材料/pcbm异质结层通过旋涂和退火沉积在pedot:pss层表面，金属电极层通过真空蒸镀法沉积在csbi3i10钙钛矿活性材料/pcbm异质结层表面。
2. 根据权利要求1所述的双功能无铅钙钛矿光电器件，其特征在于：所述pedot:pss层的厚度为30～50 nm；csbi3i10钙钛矿活性材料/pcbm异质结层的厚度为400～500 nm；金属电极层中金属为au或ag，且金属电极层的厚度为80～100 nm。
3.根据权利要求2所述的双功能无铅钙钛矿光电器件，其特征在于，所述csbi3i10钙钛矿活性材料/pcbm异质结层的制备方法为：在pedot:pss层上旋涂csbi3i10钙钛矿活性材料溶液并在旋涂过程中滴加反溶剂，退火后继续旋涂pcbm氯苯溶液，退火，得到csbi3i10钙钛矿活性材料/pcbm异质结层。
4.权利要求1-3任一项所述的双功能无铅钙钛矿光电器件的制备方法，其特征在于，步骤如下：
5. 根据权利要求4所述的双功能无铅钙钛矿光电器件的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中紫外臭氧处理的时间为10～20 min。
6. 根据权利要求5所述的双功能无铅钙钛矿光电器件的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中pedot:pss溶液，旋涂速率为3000～5000 rpm，旋涂时间为30～50 s，退火温度为150 ℃，退火时间为10～20 min；所述pedot:pss层的厚度为30～50 nm。
7. 根据权利要求4-6任一项所述的双功能无铅钙钛矿光电器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中csbi3i10钙钛矿活性材料溶液的制备方法为：将碘化铯和碘化铋溶解在二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合溶剂中，制备得到csbi3i10钙钛矿活性材料溶液，其中碘化铯与碘化铋的摩尔比为1:3，碘化铯的浓度为0.5 mol/l，二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的体积比为（8.5～9.5）:（0.5～1）。
8. 根据权利要求7所述的双功能无铅钙钛矿光电器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中旋涂csbi3i10钙钛矿活性材料溶液的旋涂速率为5000～7000 rpm，旋涂时间为30s；反溶剂为氯苯、甲苯或乙醚中的任意一种；退火i的温度为125 ℃，退火i的时间为20～30min。
9. 根据权利要求8所述的双功能无铅钙钛矿光电器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中pcbm氯苯溶液的浓度为20 mg/ml，旋涂pcbm氯苯溶液的速率为2000～4000 rpm，旋涂时间为30 s，退火ii的温度为80 ℃，退火ii的时间为10～15 min；csbi3i10钙钛矿活性材料/pcbm异质结层的厚度为400～500 nm。
10. 根据权利要求4所述的双功能无铅钙钛矿光电器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中金属为au或ag，金属电极层的厚度为80～100 nm。