发光器件的制备方法、发光器件以及包含发光器件的电子设备与流程

本技术涉及光电，具体涉及一种发光器件的制备方法、发光器件以及包含发光器件的电子设备。

背景技术：

1、发光器件是指一类通过载流子的注入和复合而发光的器件，包括但不限于是有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)和量子点发光二极管(quantum dotlight emitting diodes,qled)。发光器件具有“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。

2、发光器件经过多年的发展，性能指标方面取得了巨大的进步，也展现出巨大的应用发展潜力，但是目前仍存在不足之处，发光器件的器件寿命有待进一步地提升。

技术实现思路

1、本技术提供了一种发光器件的制备方法、发光器件以及包含发光器件的电子设备，以改善发光器件的器件寿命。

2、本技术的技术方案如下：

3、第一方面，本技术提供了一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：

4、提供包括功能膜层的预制器件；以及

5、对所述功能膜层进行离子辐照处理；

6、其中，所述功能膜层的材料包含第一金属氧化物。

7、可选地，所述预制器件包括依次层叠设置的底电极、发光层和所述功能膜层，对所述功能膜层进行离子辐照处理的步骤之后，所述的制备方法还包括步骤：在所述功能膜层远离所述发光层的一侧形成顶电极；

8、或者，所述预制器件包括依次层叠设置的底电极和所述功能膜层，对所述功能膜层进行离子辐照处理的步骤之后，所述的制备方法还包括步骤：在所述功能膜层远离所述底电极的一侧形成发光层；以及，在所述发光层远离所述功能膜层的一侧形成顶电极；

9、所述功能膜层为电子功能层或空穴功能层。

10、可选地，所述第一金属氧化物的金属元素选自ia族金属、iia族金属、iiia族金属、iva族金属、va族金属以及过渡金属中的一种或多种；和/或

11、所述功能膜层的厚度为10nm～40nm；和/或

12、在所述离子辐照处理中，注入的离子能量范围为3kev～5kev，注入的离子剂量为1×108ions/cm2～1×1016ions/cm2；和/或

13、所述离子辐照处理所使用的离子为惰性气体电离产生的离子，可选地，所述离子辐照处理所使用的离子为he+、ar+、ne+、kr+、xe+以及n2+中的一种或多种；和/或

14、所述离子辐照处理为连续式进行或间断式进行；当所述离子辐照处理为间断式进行时，所述离子辐照处理包括多个离子辐照子处理，所述多个离子辐照子处理中每一离子辐照子处理的时间为0.01s～1s，和/或相邻两个离子辐照子处理的时间间隔为3s～15s。

15、可选地，所述功能膜层的制备方法包括如下步骤：

16、沉积包含第一金属氧化物的第一溶液；以及

17、对沉积的所述第一溶液进行干燥处理，获得功能膜层。

18、可选地，所述功能膜层为电子功能层，所述第一金属氧化物选自掺杂或非掺杂的氧化锌、掺杂或非掺杂的氧化钛、掺杂或非掺杂的氧化锡、掺杂或非掺杂的氧化钡、掺杂或非掺杂的氧化钽、掺杂或非掺杂的氧化铝以及掺杂或非掺杂的氧化锆，其中，当所述第一金属氧化物为掺杂的金属氧化物时，所述第一金属氧化物的掺杂金属元素选自镁、钙、镓、锂、铝、钛、钇、铟以及锡中的一种或多种。

19、可选地，当所述预制器件包括依次层叠设置的底电极、发光层和所述功能膜层时，所述预制器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述底电极与所述发光层之间；

20、或者，当所述预制器件包括依次层叠设置的底电极和所述功能膜层时，对所述功能膜层进行离子辐照处理的步骤之后，所述的制备方法还包括步骤：在所述功能膜层远离所述底电极的一侧依次形成发光层、空穴功能层和顶电极；

21、其中，所述空穴功能层的材料包含聚(3,4-乙烯二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、酞菁氧钛、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯基咔唑)、4,4'-二(9-咔唑)联苯、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、4,4'-环己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺]、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(对丁基苯基))二苯胺)]、聚(n,n'-二(4-丁基苯基)-n,n'-二苯基-1,4-苯二胺-co-9,9-二辛基芴)、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4',4'-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、n,n'-双[4-(二苯基氨基)苯基]-n,n'-二苯基联苯胺、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-9,9-螺二芴-2,7-二胺、n2,n7-二-1-萘基-n2,n7-二苯基-9,9'-螺二[9h-芴]-2,7-二胺、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'-四[n,n-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、掺杂或非掺杂的石墨烯、c60、掺杂或非掺杂的氧化镍、掺杂或非掺杂的氧化钼、掺杂或非掺杂的氧化钨、掺杂或非掺杂的氧化钒、掺杂或非掺杂的p型氮化镓、掺杂或非掺杂的氧化铬、掺杂或非掺杂的氧化铜、过渡金属硫化物以及过渡金属硒化物中的一种或多种。

22、可选地，所述功能膜层为空穴功能层，所述第一金属氧化物选自掺杂或非掺杂的氧化镍、掺杂或非掺杂的氧化钼、掺杂或非掺杂的氧化钨、掺杂或非掺杂的氧化钒、掺杂或非掺杂的氧化铬以及掺杂或非掺杂的氧化铜中的一种或多种；当所述第一金属氧化物为掺杂的金属氧化物时，所述第一金属氧化物的掺杂元素选自镍、钼、钨、钒、铬、铜以及铂族金属元素中的一种或多种。

23、可选地，当所述预制器件包括依次层叠设置的底电极和所述功能膜层时，所述发光器件的制备方法还包括步骤：在所述功能膜层远离所述底电极的一侧依次形成发光层、电子功能层和顶电极；

24、或者，当所述预制器件包括依次层叠设置的底电极、发光层和所述功能膜层时，所述预制器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述底电极与所述发光层之间；

25、其中，所述电子功能层的材料包含有机电子功能化合物，可选地，所述有机电子功能化合物选自2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基)苯)、1,3,5-三((3-吡啶基)-3-苯基)苯、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲、4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4h-1,2,4-三唑、三(8-羟基喹啉)铝以及双(2-甲基-8-羟基喹啉-n1,o8)-1,1'-联苯-4-羟基)铝中的一种或多种。

26、可选地，所述底电极和所述顶电极的材料彼此独立地选自金属、碳材料以及第二金属氧化物中的一种或多种，所述金属选自al、ag、cu、mo、au、ba、pt、ca、ir、ni以及mg中的一种或多种，所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种，所述第二金属氧化物选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、铝掺杂氧化镁、sno2、zno以及in2o3中的一种或多种；和/或

27、所述发光层的材料包含有机发光材料以及量子点中的一种或多种；其中，所述有机发光材料选自4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpx荧光材料、tbrb荧光材料、dbp荧光材料、延迟荧光材料、tta材料、热活化延迟材料、含有b-n共价键合的聚合物、杂化局域电荷转移激发态材料以及激基复合物发光材料中的一种或多种；和/或

28、所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点、有机钙钛矿量子点以及有机-无机杂化钙钛矿量子点的一种或多种；和/或

29、所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物或i-iii-vi族化合物中的至少一种，其中，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete以及hgznste中的一种或多种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas以及inalpsb中的一种或多种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete以及snpbste中的一种或多种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins、cuinse以及agins中的一种或多种；和/或

30、所述无机钙钛矿量子点的结构通式为amx3，其中a为cs+离子，m为二价金属阳离子，m选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+以及eu2+中的一种或多种，x为卤素阴离子；和/或

31、所述有机钙钛矿量子点的结构通式为cmx3，c为甲脒基；和/或

32、所述有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为bmx3，b选自有机胺阳离子。

33、第二方面，本技术提供了一种发光器件，所述发光器件采用如第一方面中任意一种所述的制备方法制得。

34、第三方面，本技术提供了一种电子设备，所述电子设备包括如第一方面中任意一种所述的发光器件的制备方法制得的发光器件。

35、本技术提供了一种发光器件的制备方法、发光器件以及包含发光器件的电子设备，具有如下技术效果：

36、在所述发光器件的制备方法中，对包含第一金属氧化物的功能膜层进行离子辐照处理，以向功能膜层引入缺陷界面，所述缺陷界面能够捕获过量载流子(电子或空穴)，有效改善因过量载流子到达发光层而导致的激子猝灭问题，能够适当地降低功能膜层的载流子传输性能，从而促进电子-空穴传输平衡，进而提升发光器件的光电性能和器件寿命，以及有利于提升发光器件的性能稳定性。

37、将所述发光器件的制备方法制得的发光器件应用于电子设备中，有利于提高电子设备的显示效果和使用寿命。