1.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预制器件包括依次层叠设置的底电极、发光层和所述功能膜层，对所述功能膜层进行离子辐照处理的步骤之后，所述的制备方法还包括步骤：在所述功能膜层远离所述发光层的一侧形成顶电极；
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属氧化物的金属元素选自ia族金属、iia族金属、iiia族金属、iva族金属、va族金属以及过渡金属中的一种或多种；和/或
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述功能膜层的制备方法包括如下步骤：
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述功能膜层为电子功能层，所述第一金属氧化物选自掺杂或非掺杂的氧化锌、掺杂或非掺杂的氧化钛、掺杂或非掺杂的氧化锡、掺杂或非掺杂的氧化钡、掺杂或非掺杂的氧化钽、掺杂或非掺杂的氧化铝以及掺杂或非掺杂的氧化锆，其中，当所述第一金属氧化物为掺杂的金属氧化物时，所述第一金属氧化物的掺杂金属元素选自镁、钙、镓、锂、铝、钛、钇、铟以及锡中的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，当所述预制器件包括依次层叠设置的底电极、发光层和所述功能膜层时，所述预制器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述底电极与所述发光层之间；
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述功能膜层为空穴功能层，所述第一金属氧化物选自掺杂或非掺杂的氧化镍、掺杂或非掺杂的氧化钼、掺杂或非掺杂的氧化钨、掺杂或非掺杂的氧化钒、掺杂或非掺杂的氧化铬以及掺杂或非掺杂的氧化铜中的一种或多种；当所述第一金属氧化物为掺杂的金属氧化物时，所述第一金属氧化物的掺杂元素选自镍、钼、钨、钒、铬、铜以及铂族金属元素中的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，当所述预制器件包括依次层叠设置的底电极和所述功能膜层时，所述发光器件的制备方法还包括步骤：在所述功能膜层远离所述底电极的一侧依次形成发光层、电子功能层和顶电极；
9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述底电极和所述顶电极的材料彼此独立地选自金属、碳材料以及第二金属氧化物中的一种或多种，所述金属选自al、ag、cu、mo、au、ba、pt、ca、ir、ni以及mg中的一种或多种，所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种，所述第二金属氧化物选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、铝掺杂氧化镁、sno2、zno以及in2o3中的一种或多种；和/或
10.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件采用如权利要求1至9任一项中所述的制备方法制得。
11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至10任一项中所述的发光器件的制备方法制得的发光器件。