存储器件及其制造方法与流程

技术特征：

1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

11.根据权利要求1-10任一项所述的方法，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，

14.一种存储器件，其特征在于，包括：

15.根据权利要求14所述的存储器件，其特征在于，

16.根据权利要求14所述的存储器件，其特征在于，

17.根据权利要求16所述的存储器件，其特征在于，

18.根据权利要求14所述的存储器件，其特征在于，

19.根据权利要求17所述的存储器件，其特征在于，

20.根据权利要求14所述的存储器件，其特征在于，还包括：

技术总结
本申请提供一种存储器件及其制造方法。其中，存储器件包括：基体，包括衬底及形成在衬底中，且位于衬底一侧的掺杂阱区；第一基体凹槽，自掺杂阱区向下延伸，第一基体凹槽的内壁上形成有栅极绝缘层；第一栅极，填充在第一基体凹槽中，并至少部分凸出于掺杂阱区之外；栅间介质层，形成在第一栅极上；第二栅极，形成在栅间介质层上，第二栅极作为存储器件中存储单元的控制栅；第三栅极，形成在掺杂阱区上，且与第一栅极接触，共同构成存储器件中存储单元的半浮栅，其中，第三栅极与掺杂阱区具有连续的晶格构造。

技术研发人员：曹开玮,孙鹏
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16