电磁波干扰抑制体的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种抑制由数字电子设备产生的不需要的电磁波的干扰的电磁波干 扰抑制体，其为包含配合有导电填料的导电层和含有磁性填料的磁性层并将它们层叠而形 成的电磁波干扰抑制体。
【背景技术】
[0002] 近年来，虽然数字电子设备的进步显著，但特别是以手机、数码相机或笔记本电脑 为代表的移动式电子设备中，对工作信号的高频化和小型化、轻量化的要求显著，电子零件 和配线基板的高密度安装成为最大的技术课题之一。
[0003] 为了推进电子设备的电子零件和配线基板的高密度安装和工作信号的高频化，产 生噪音的零件和其它零件的距离逐渐减少，并且在抑制从电子设备的微处理器或LSI、液 晶面板等辐射的不必要的辐射的用途中使用了电磁波干扰抑制片材。本用途中的附近电 磁场中的电磁波的吸收反射现象，难以使用从现有技术已知的远方电磁场（电磁波为平面 波的情况）中的传输线理论解析（桥本修，"电波吸收体的动向"，电子信息通讯学会志， Vol. 86No.IOpp. 800-803、2003年10月），因此，电磁波干扰抑制用片材的设计依据经验来 设计的部分较多。最近，如专利文献1和专利文献2所公开那样，为了吸收附近电磁场的电 磁波，作为软磁性粉末使用将扁平状金属磁性粉末配合于树脂中的类型的电磁波干扰抑制 用片材。该电磁波干扰（噪音）抑制片材的特性评价法IEC62333-1在2006年标准化。
[0004] 至今为止，作为软磁性粉末，公开有一种电磁波干扰抑制体，其含有90重量％ (关 于组成1和3,按合金粉末密度为6. 9kg/l、树脂密度为I.lkg/1来计算时，为58. 9vol% ) 的平均粒径10 y m的扁平状的Fe-Al-Si合金粉末。电磁波干扰抑制体的厚度为I.2mm(专 利文献1)。
[0005] 另外，制造法中公开有"一种磁性片材的制造方法，其特征在于：将在树脂和溶剂 中分散有扁平状金属磁性粉末的磁性涂料涂敷于具有脱模层的基板上并进行干燥后，将已 干燥的涂敷膜剥离来得到磁性片材"。在实施例中有磁性片材的干燥膜厚为120ym且铝硅 铁粉末的充填率最大为80重量％ (按铝硅铁粉末密度为6. 9kg/l，树脂密度为I.lkg/1来 计算时，为56.Ovol% )的磁性屏蔽片材，与专利文献1相比，显示可实现更薄型的磁性片 材。薄型的磁性片材被认为更适于电子零件或配线基板的高密度安装（专利文献2)。
[0006] 另外，关于导电层，公开有表面电阻和噪声抑制的关系（平冢信之，噪音抑制用软 磁性材料及其应用，2008年5月）。
[0007] 另外，已知有层叠有导电层和磁性层的片材（专利文献3~5和10)。
[0008]另外，已知有将羰基铁粉末分散于树脂中的电磁波干扰抑制片材（专利文献6)、 将导电性碳和软磁性体分散于树脂中的电磁波干扰抑制片材（专利文献7、8及9)。
[0009] 现有技术文献
[0010] 专利文献
[0011] 专利文献1:(日本）特开平7-212079号公报
[0012] 专利文献2 :(日本）特开2000-244171号公报
[0013] 专利文献3:(日本）特开平10-075088号公报
[0014] 专利文献4:(日本）特开2002-198686号公报
[0015] 专利文献5:(日本）特开2010-135701号公报
[0016] 专利文献6:(日本）特开2006-196747号公报
[0017] 专利文献7:(日本）特开2007-288006号公报
[0018] 专利文献8:(日本）特开2007-129179号公报
[0019] 专利文献9:(日本）特开2008-244358号公报
[0020] 专利文献10:(日本）特开2010-153542号公报
【发明内容】
[0021] 发明所要解决的课题
[0022] 由于数字电子设备的小型化、轻量化的进展，要求电子零件或配线基板的进一步 高密度安装，并强烈要求更薄且附近电磁场的电磁波吸收性能优异而且电磁波反射较少的 电磁波干扰抑制用片材。通常，如果减薄电磁波干扰抑制用片材，则电磁波吸收性能降低， 因此，为了使片材更薄需要提高磁性粉末的含量，因而增高磁损耗，并且需要确保片材实用 上的柔软性和强度。但是，为了提高金属磁性粉末的导磁率和含量，需要高水平的加工技 术，且磁性材料的形状或粒度分布设计等需要高水平的粉体设计和加工，因此成本升高。
[0023] 专利文献3~5所记载的方法中，由于导电层仅具有作为电磁波的反射层的功能， 分布常数电路中的反射损失较大，因此，高频的传送信号会衰减。
[0024] 另外，专利文献6所记载的方法中，难以说GHz频带的传输衰减充分。
[0025] 另外，专利文献7、8、9、10所记载的方法中，当导电填料的充填量变多时，电阻降 低，而使反射变大，且低频区域即传送信号区域的传送特性降低。另外，专利文献9中，在 800MHz以上的频率中损失较大，因此，传输信号限定于在800MHz以下的频率区域的使用。
[0026] 此外，专利文献10所记载的方法中，由于涂敷于基材上，因此，存在柔软性或紧贴 追随性的课题。
[0027] 因此，本发明的目的在于，得到一种电磁波干扰抑制体，其在附近电磁场的低通滤 波特性（透过损失和反射系数的平衡，具体而言，通过微带线测定的透过损失在500MHz时 为3dB以下、反射系数为-9dB以下，在3GHz的透过系数为IOdB以上、反射系数为-9dB以 下）优异。
[0028] 用于解决课题的技术方案
[0029] 上述技术课题可通过如下的本发明达成。
[0030]即，本发明提供一种电磁波干扰抑制体，其特征在于：在含有选自金、银、铜、镍的 一种以上的金属导电性填料的导电层上，层叠有含有软磁性粉末和树脂的磁性层，上述导 电层的表面电阻为100~5000D/□。（本发明1)。
[0031] 另外，如本发明1记载的电磁波干扰抑制体，其中，上述导电层含有选自金、银、 铜、镍的一种以上的金属导电性填料和树脂（本发明2)。
[0032] 另外，如本发明1或2记载的电磁波干扰抑制体，其中，上述磁性层在IOOMHz的复 数相对导磁率的实数部为3~45 (本发明3)。
[0033] 另外，如本发明1~3中任一项记载的电磁波干扰抑制体，其中，上述导电性填料 的含量为15~40V〇1 % (本发明4)。
[0034] 另外，如本发明1~4中任一项记载的电磁波干扰抑制体，其中，上述软磁性粉末 是选自幾基铁、磁铁矿、尖晶石铁氧体、错娃铁的一种以上（本发明5)。
[0035] 另外，如本发明1~5中任一项记载的电磁波干扰抑制体，其中，导电层的厚度为 10~50ym，磁性层的厚度为50~200ym(本发明6)。
[0036] 另外，如本发明1~6中任一项记载的电磁波干扰抑制体，其中，在厚度为100ym 以下的上述电磁波干扰抑制体的微带线中，在500MHz的透过损失为3dB以下、反射系数 为-9dB以下，在3GHz的透过系数为IOdB以上、反射系数为-9dB以下。（本发明7)。
[0037] 发明效果
[0038]根据本发明，可以得到附近电磁场的低通滤波特性优异的电磁波干扰抑制体。【具体实施方式】
[0039] 首先，对本发明的电磁波干扰抑制体进行叙述。
[0040]本发明的电磁波干扰抑制体是在含有选自金、银、铜、镍的一种以上的金属导电性 填料的导电层上层叠有含有软磁性粉末和树脂的磁性层而形成的电磁波干扰抑制体。
[0041]对本发明的导电层进行叙述。
[0042]本发明的用于导电层的金属导电性填料可以使用选自金、银、铜、镍中的一种以 上。金属导电性填料优选为粒径0. 1~20ym、BET相对表面积0. 2~20m2/g的材料。金 属导电性填料的颗粒形状没有特别限定。
[0043]本发明的导电层也可以由金属填料形成，另外也可以将金属导电性填料配合于树 脂中。
[0044]作为本发明的导电层，在将金属导电性填料配合于树脂中的导电层中，优选配合 15~40vol%的金属导电性填料，更优选为20~35vol%。若不足上述范围，则透过损失 量S21较低。另外，在超过上述范围大量地含有的情况下，有时表面电阻比100Q/□低， 500MHz的透过损失变大，低频通过性恶化。另外，片材强度和柔软性也降低，因此不优选。 此外，在本发明中，片材的柔软性良好是指片材可以折弯成18