0°并且还可以恢复成初始状 O
[0045] 本发明的导电层优选配合25~80vol%的树脂。若树脂含量不足25vol%，则有 时片材的柔软性降低。若树脂的含量超过80vol%，则表面电阻变高。导电层的树脂的配合 量优选为26~60vol%，更优选为28~40vol%。
[0046]树脂可以使用：苯乙烯类弹性体、烯烃类弹性体、聚脂类弹性体、聚酰胺类弹性体、 聚氨酯类弹性体、硅烷类弹性体等。苯乙烯类弹性体具有SEBS(苯乙烯乙烯丁烯苯乙烯嵌 段共聚物）等。还可以使用：丙烯酸树脂、环氧树脂、苯酚树脂、聚烯烃树脂等。另外，也可 以向上述弹性体中混合丙烯酸树脂、环氧树脂、苯酚树脂、聚烯烃树脂等使用。
[0047]优选在本发明的导电层中配合5~20vol%的各阻燃剂。若不足5vol%，则阻燃 效果不充分。若超过20vol%，则吸收量降低，因此不优选。阻燃剂中优选使用多磷酸三聚 氰胺、氢氧化镁、水滑石（hydrotalcite)等。优选为氢氧化镁、多磷酸三聚氰胺。阻燃剂的 合计量优选为5~40vol%。
[0048] 优选在本发明的导电层中配合0. 5~3vol%的抗氧化剂。若不足0. 5vol%，则抗 氧化性降低，因此不优选。若超过3vol%，则吸收量降低，因此不优选。抗氧化剂优选使用 2'，3-双[[3_[3, 5-二叔丁基-4-羟基苯基]丙酰基]]丙酰肼（CibaSpecialtyChemicals 公司制，IRGANOXMD1024)等。作为树脂用的抗氧化剂，可选自四[亚甲基-3-(3'，5'-二叔 丁基-4' -羟基苯基）丙酸酯]、三-(3, 5-二叔丁基-4羟基苄基）-异氰尿酸酯、N，N' -六 亚甲基双（3, 5-二叔丁基-4-羟基氢化肉桂酰胺）中适合于树脂的物质。作为橡胶类树脂 的抗氧化剂，优选为Toray株式会社CTPIN-环己基硫代邻苯二甲酰亚胺。
[0049] 此外，本发明的导电层也可以含有磁铁矿、羰基铁、铁氧体等的磁性粉末来控制导 电层的高频阻抗。它们的含量通常为〇~20vol%。
[0050] 另外，本发明的导电层中也可以一并使用导电性碳黑、将碳纤维加工而成的纤维 状碳、纳米碳管（CarbonNanotube)等导电性碳。
[0051] 接着，对本发明的磁性层进行叙述。
[0052] 本发明的磁性层中的软磁性粉末包含选自羰基铁、磁铁矿、尖晶石铁氧体、铝硅 铁、硅钢、铁等的至少一种粉末。另外，这些粉末的形状也可以是粒状、球状、粉碎状、针状等 扁平状的任一形状。
[0053] 本发明的磁性层的软磁性粉末的最大粒径优选为片材厚度的1/3以下，更优选为 1/5以下。若软磁性粉末的最大粒径超过1/3,则电磁波干扰抑制用片材的表面平滑性降 低，因此，片材对电磁波产生源的紧贴性（密合性）变差，电磁波吸收性能降低。
[0054] 另外，本发明的软磁性粉末的真密度优选为4. 0~9. Og/cm3。更优选为5. 0~ 8. 0g/cm3〇
[0055] 本发明的软磁性粉末没有特别限定，也可以根据需要利用钛酸酯类、硅烷类等 偶联剂处理剂进行表面处理。优选对金属类的软磁性粉末进行磷酸类表面处理。另外， 利用0. 1~I.Owt%的偶联剂处理剂对软磁性粉末进行表面处理。若偶联剂的处理量不 足0.lwt%，则不能充分提高对树脂的亲和性，因此不能充分维持氧化稳定性。若超过 I.Owt%，则阻抗变高、电磁波吸收量降低。优选为0. 1~0. 5wt%。
[0056] 偶联剂中，作为钛酸酯类偶联剂，可举出：三硬酯酰基钛酸异丙酯、异丙基三（二 辛基焦磷酸酰氧基）钛酸酯、异丙基三（N-氨基乙基-氨基乙基）钛酸酯、四辛基双（双 十三烷基磷酸酰氧基）钛酸酯、四（2-2-二烯丙基氧基甲基-1-丁基）双（双十三烷基） 磷酸酰氧基钛酸酯、双（二辛基焦磷酸酰氧基）氧基乙酰氧基钛酸酯、双（二辛基焦磷酸酰 氧基）乙撑钦酸醋等。
[0057] 作为硅烷类偶联剂，可举例如：较适合作为弹性体的偶联剂的乙烯基三氯硅烷、乙 烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、2_(3,4环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷、3-环 氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三 乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基 硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、 3_丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N-2 (氨基乙基）3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2 (氨 基乙基）3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2 (氨基乙基）3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙 基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基 三甲氧基硅烷、双（三乙氧基甲硅烷基丙基）四硫化物等。
[0058] 另外，也可以利用磷酸类化合物对金属类软磁性粉末进行表面处理。利用以磷 酸基准计为0. 1~0. 5wt%的磷酸对软磁性粉末进行表面处理。另外，也可以利用0. 1~ l.Owt%的硅烷偶联剂对软磁性粉末进行表面处理。若磷酸量不足0.lwt%，则有时氧化稳 定性降低。若磷酸量超过〇.5wt%，则导磁率变小，导致抑制效果降低。更优选为0.1~ 0. 4wt%。
[0059] 磁性层包含上述软磁性粉末和树脂，也可以进一步使用上述阻燃剂、抗氧化剂等。
[0060] 磁性层优选配合24~65vol%的树脂。若不足24vol%，贝Ij片材变脆，若超过 65vol%，则导磁率变低。更优选为26~45vol%，进一步优选为30~40vol%。
[0061] 磁性层优选配合35~65vol%的软磁性粉末，更优选为38~60vol%。
[0062] 优选在本发明的磁性层中配合5~20vol%的在上述导电层中所使用的阻燃剂。
[0063] 优选在本发明的磁性层中配合0.5~3vol%的在上述导电层中所使用的抗氧化 剂。
[0064] 构成磁性层的树脂与能够用于上述导电层的树脂相同。用于导电层的树脂和用于 磁性层的树脂也可以相同，也可以不同，但更优选导电层和磁性层使用相同的树脂。
[0065] 本发明的磁性层在IOOMHz的复数相对导磁率的实数部优选为3~45。若磁性层 的复数相对导磁率的实数部不足3,则反射损失变大，传送信号衰减。若磁性层的复数相对 导磁率的实数部超过45,则电路阻抗变大，反射损失变大。优选复数相对导磁率的实数部为 4~44,更优选为8~42。
[0066] 本发明的电磁波干扰抑制体优选厚度为200ym以下的片材状。若是超过200ym 的厚度，则对于高密度安装的电子电路变得太厚。优选厚度为150ym以下，更优选为20~ 120ym，进一步优选为25~50ym。
[0067] 本发明的电磁波干扰抑制体中，导电层和磁性层的厚度比没有特别限定，将导电 层设为1时，优选成为I: 1~1 : 10,更优选为I: 1~1 : 5。
[0068] 本发明的电磁波干扰抑制体中，导电层的厚度优选为10~50ym，更优选为12~ 45 y m。磁性层的厚度更优选为50~200 y m，进一步优选为60~150 y m。
[0069] 本发明的电磁波干扰抑制体中，导电层和磁性层的层叠顺序没有特别限定，但优 选以将磁性层设置于接近信号的面的方式形成。
[0070] 本发明的电磁波干扰抑制体中，在层叠厚度为100ym的片材中进行微带线测定， 适合在500MHz下透过损失为3dB以下，在3GHz下为IOdB以上的低通滤波特性。另外，与 以往的磁性层单层型相比，磁性层的加工容易。在500MHz的透过损失比3dB大时，信号频 带的透过损失变大，工作信号减少。另外，在3GHz的透过损失不足IOdB时，工作信号的n 次高次谐波噪音的抑制有时不充分。更优选在500MHz的透过损失为2. 5dB以下、反射系数 为-9dB以下，在3GHz的透过损失为IOdB以上、反射系数为-9dB以下。
[0071] 接着，对本发明的电磁波干扰抑制体的制造方法进行叙述。
[0072] 本发明的电磁波干扰抑制体中，优选将分散（散布）有上述导电性填料和/或软 磁性粉末的涂料涂敷于基材上，由此，调整干燥后的涂膜的厚度，之后将导电层和磁性层层 叠并加热压接。另外，也可以是在分别形成导电层和磁性层后，再层叠并加热压接的方法。 优选通过进行涂料化，而能够进行高充填且均匀地分散。另外，也可以向事先制作的磁性层 涂敷含有规定的金属填料的导电涂料。
[0073] 本发明的电磁波干扰抑制体可以使于高频信号用的扁平电缆、电缆连接连接器及 挠性印刷基板等，并且可以进行零件的高密度安装，可