方法(2)中的工序(BI)、布线基板的制造方法(3 )中的工序(BI)和(B3 )中，薄膜化处理优选的是使薄膜化处理面为上来进行。作为薄膜化处理的处理方式，由于难以在薄膜化处理液中产生气泡，所以浸渍处理是有效的。万一，在薄膜化处理液中产生了气泡的情况下，气泡在薄膜化处理液中浮出，附着于基板下表面，因此，只要使薄膜化处理面为上，则抑制气泡向薄膜化处理面的附着。
[0102]在布线基板的制造方法(2)和(3)中的工序(D)中，通过显影来除去非曝光部的第一■阻焊层2_2。在布线基板的制造方法(I)中，在完成到工序(C5)的电路基板I上残留有不需要的阻焊层2的情况下，在工序(C5)之后的工序(Dl)中，通过显影来除去不需要的阻焊层2。作为显影方法，使用与所使用的阻焊剂相当的显影液来对电路基板的表面喷射喷雾，除去各阻焊层的不需要的部分。在显影液中，使用稀薄的碱性水溶液，通常使用0.3-3质量％的碳酸钠水溶液、碳酸钾水溶液。
实施例
[0103]以下，通过实施例进一步详细地说明本发明，但是，本发明并不限定于该实施例。
[0104]实施例1~4为与图3-1和图3-2所示的布线基板的制造方法(I)相关的例子。
[0105](实施例1)
〈工序(A) >
使用半加成法来制作在表面形成有导体布线7的电路基板1(面积170mmX200mm，导体厚度15Pm，基板厚度0.4mm)ο在表面存在用作电子部件连接用连接焊盘3的线宽度25Mm、间隔50μπι的导体布线。接着，使用真空层压将厚度25μπι的阻焊薄膜(太阳ink制造(股份)制，商品名:PFR-800 AUS410)真空热压接于上述电路基板I的表面(层压温度75°C，吸引时间30秒，加压时间10秒)。由此，形成了阻焊层2。在阻焊层2中，离绝缘层4表面的厚度为30Pm，电子部件连接用连接焊盘3上的厚度为15Mm。
[0106]〈工序(Cl)〉
针对阻焊层2，使用对从多个电子部件连接用连接焊盘3的端部离开400μπι的外周的外侧的区域照射活性光线6那样的模式的光掩膜5，以曝光量200mJ/cm2进行密合曝光。
[0107]〈工序(BI)〉
在剥离了阻焊层2上的支承层薄膜之后，将10质量％的偏硅酸钠水溶液(液温25°C)用作薄膜化处理液，使薄膜化处理面为上并使电路基板I浸渍在薄膜化处理液中25秒来进行胶束化处理(薄膜化处理)。之后，进行利用胶束除去液(液温25°C)的喷雾的胶束除去处理、水洗处理(液温25°C)和干燥处理，对平均1Mffl的阻焊层2进行薄膜化直到非曝光部的阻焊层2的厚度变为电子部件连接用连接焊盘3的表面上5.Ομπι。在用光学显微镜进行观察时，在阻焊层2的表面没有处理不均，得到了良好的面内均匀性。
[0108]〈工序(C2)>
针对阻焊层2，使用对从多个电子部件连接用连接焊盘3的端部离开200μπι的外周的外侧的区域照射活性光线6那样的模式的光掩膜5，通过氧环境下的非接触曝光以曝光量400mJ/cm2进行曝光。
[0109]〈工序(B2)>
将10质量％的偏硅酸钠水溶液(液温25°C )用作薄膜化处理液，使薄膜化处理面为上并使电路基板I浸渍在薄膜化处理液中25秒来进行胶束化处理(薄膜化处理)。之后，进行利用胶束除去液(液温25°C )的喷雾的胶束除去处理、水洗处理(液温25°C )和干燥处理，对平均1Mffl的阻焊层2进行薄膜化直到非曝光部的阻焊层2的厚度变为电子部件连接用连接焊盘3的表面下5.Ομπι。在用光学显微镜进行观察时，在阻焊层2的表面没有处理不均，得到了良好的面内均匀性。通过工序(C2)中的氧环境下的非接触曝光，从配置在表面的电子部件连接用连接焊盘3的端部离开200μπι的外周到离开400μπι的外周为止的区域的阻焊层2表面的光聚合被抑制，作为结果，阻焊层2的厚度减少了 0.5Mm。
[0110]〈工序(C5)>
针对阻焊层2，使用对在工序(B2)中被薄膜化的区域部分和从该薄膜化的区域的境界部到200μπι外侧的区域照射活性光线6那样的模式的光掩膜5，通过氧环境下的非接触曝光以曝光量400mJ/cm2进行曝光。
[0111]接着，为了使阻焊层2固化，以曝光量lOOOmJ/cm2进行整个表面曝光，接着，以150°C施行60分钟热固化处理，得到布线基板。用光学显微镜观察的结果是，厚度15μπι的导体布线7被厚度30Mm和19.5Mm的阻焊层2包覆，形成了相当于其高低差的厚度10.5Mm的底部填充剂堵住用障碍。此外，厚度15μπι的电子部件连接用连接焊盘3露出，在相邻的电子部件连接用连接焊盘3间填充有厚度10.0Mffl的阻焊层2。
[0112]接着，在测定位于从配置在表面的多个电子部件连接用连接焊盘3的端部离开200Pm的外周与从该端部离开400Pm的外周之间的区域的厚度19.5Pm的阻焊层2的表面粗糙度时，表面粗糙度Ra为0.40μπι。此外，在测定相邻的电子部件连接用连接焊盘3间的阻焊层2的表面粗糙度时，表面粗糙度Ra为0.40Mm。
[0113]关于利用超深度形状测定显微镜(股份公司KEYENCE $丨」，产品号“VK-8500”)的算术平均表面粗糙度Ra，使用按照JIS Β0601-1994表面粗糙度-定义的计算式。再有，使测定区域为900Pm2，使基准长度为40Mm。
[0114](实施例2)
通过除了使工序(C2)和工序(C5)中的曝光量为200mJ/cm2以外与实施例1相同的方法，实施了工序(A) ~工序(B2)。用光学显微镜观察的结果是，阻焊层2被填充直到配置在表面的电子部件连接用连接焊盘3的表面下5.Ομπι。通过工序(C2)和(C5)中的氧环境下的非接触曝光，通过工序(Cl)中的密合曝光照射活性光线6的区域以外的阻焊层2表面的光聚合被抑制，作为结果，位于从配置在表面的多个电子部件连接用连接焊盘3的端部离开200Mm的外周与从该端部离开400Pm的外周之间的区域的厚度20Pm的阻焊层2的厚度减少了 l.0Mm。
[0115]接着，为了使阻焊层2固化，以曝光量lOOOmJ/cm2进行整个表面曝光，接着，以150°C施行60分钟热固化处理，得到布线基板。用光学显微镜观察的结果是，厚度15μπι的导体布线7被厚度30Mm和19Mm的阻焊层2包覆，形成了相当于其高低差的厚度IlMffl的底部填充剂堵住用障碍。此外，厚度15Pffl的电子部件连接用连接焊盘3露出，在相邻的电子部件连接用连接焊盘3间填充有厚度10.0Mffl的阻焊层2。
[0116]接着，在测定位于从配置在表面的多个电子部件连接用连接焊盘3的端部离开200Pm的外周与从该端部离开400Pm的外周之间的区域的厚度19Pm的阻焊层2的表面粗糙度时，表面粗糙度Ra为0.50μπι。此外，在测定相邻的电子部件连接用连接焊盘3间的阻焊层2的表面粗糙度时，表面粗糙度Ra为0.50Mm。
[0117](实施例3)
通过除了使工序(C2)和工序(C5)中的曝光量为lOOOmJ/cm2以外与实施例1相同的方法，实施了工序(A) ~工序(B2)。用光学显微镜观察的结果是，阻焊层2被填充直到配置在表面的电子部件连接用连接焊盘3的表面下5.Ομπι，未确认到由于工序(C2 )和(C5 )中的氧的聚合阻碍造成的阻焊层2的膜损耗。
[0118]接着，为了使阻焊层2固化，以曝光量lOOOmJ/cm2进行整个表面曝光，接着，以150°C施行60分钟热固化处理，得到布线基板。用光学显微镜观察的结果是，厚度15μπι的导体布线7被厚度30Mm和20Mm的阻焊层2包覆，形成了相当于其高低差的厚度1Mm的底部填充剂堵住用障碍。此外，厚度15μπι的电子部件连接用连接焊盘3露出，在相邻的电子部件连接用连接焊盘3间填充有厚度10.0Mffl的阻焊层2。
[0119]接着，在测定位于从配置在表面的多个电子部件连接用连接焊盘3的端部离开200Pm的外周与从该端部离开400Pm的外周之间的区域的厚度20Pm的阻焊层2的表面粗糙度时，表面粗糙度Ra为0.30μπι。此外，在测定相邻的电子部件连接用连接焊盘3间的阻焊层2的表面粗糙度时，表面粗糙度Ra为0.30Mm。
[0120](实施例4)
用除了在工序(C2)和工序(C5)中通过密合曝光方式进行曝光以外与实施例1相同的方法，实施了工序(A)~工序(B2)。用光学显微镜观察的结果是，在电子部件连接用连接焊盘3间填充阻焊层2直到电子部件连接用连接焊盘3的表面下5.Ομπι。在工序(C2)和(C5)中，充分进行密合曝光时的排气，由此，在非氧环境下进行曝光，因此，阻焊层2表面不被粗糙面化，作为结果，阻焊层2的厚度不减少。
[0121]接着，为了使阻焊层2固化，以曝光量lOOOmJ/cm2进行整个表面曝光，接着，以150°C施行60分钟热固化处理，得到布线基板。用光学显微镜观察的结果是，厚度15μπι的导体布线7被厚度30Mm和20Mm的阻焊层2包覆，形成了相当于其高低差的厚度1Mm的底部填充剂堵住用障碍。此外，厚度15μπι的电子部件连接用连接焊盘3露出，在相邻的电子部件连接用连接焊盘3间填充有厚度10.0Mffl的阻焊层2。
[0122]接着，在测定位于从配置在表面的多个电子部件连接用连接焊盘3的端部离开200Pm的外周与从该端部离开400Pm的外周之间的区域的厚度20Pm的阻焊层2的表面粗糙度时，表面粗糙度Ra为0.1OMffl0此外，在测定相邻的电子部件连接用连接焊盘3间的阻焊层2的表面粗糙度时，表面粗糙度Ra为0.lOMm。
[0123]在实施例1~4中，在相邻的电子部件连接用连接焊盘3间存在充分的厚度的阻焊层2，因此，能够可靠地防止在安装电子部件时发生由于焊料造成的电短路。此外，在实施例1~4中制作的电路基板具有用于防止底部填充剂从电子部件与电路基板的空隙向周围溢出的障碍构造，在为了确保电子部件与电路基板的连接可靠性而填充充分的底部填充剂时，底部填充剂也不会从电子部件与电路基板的空隙向周围流出，能够防止对电工作造成坏影响。当对实施例1~4进行比较时，与电子部件连接用连接焊盘3间和周围的阻焊层2的表面是平滑的实施例4中制造的布线基板相比，在实施例1~3中制造的布线基板的与底部填充剂的密合性更高，连接可靠性更优越。
[0124](比较例I) 比较例I是图6所示的现有技术的布线基板的制造方法所相关的例子。
[0125]〈工序(A)>
使用半加成法来制作在表面形成有导体布线7的电路基板I (面积170_X200mm，导体厚度15Pm，基板厚度0.4mm)ο在表面侧存在用作电子部件连接用连接焊盘3的线宽度25Pm、间隔50Mm的导体布线。接着，使用真空层压将厚度25Pm的阻焊薄膜(太阳ink制造(股份)制，商品名:PFR-800 AUS410)真空热压接于上述电路基板I的表面(层压温度75°C，吸引时间30秒，加压时间10秒)。由此，形成了阻焊层2。在阻焊层2中，离绝缘层4表面的厚度为30Pm，电子部件连接用连接焊盘3上的厚度为15Mm。
[0126]〈工序(Cl)〉
针对阻焊层2，使用对从多个电子部件连接用连接焊盘3的端部离开200μπι的外周的外侧的区域照射活性光线6那样的模式的光掩膜5，以曝光量200mJ/cm2进行密合曝光。
[0127]〈工序(B)〉
在剥离了阻焊层2上的支承层薄膜之后，将10质量％的偏硅酸钠水溶液(液温25°C)用作薄膜化处理液，使薄膜化处理面为上并使电路基板I浸渍在薄膜化处理液中50秒来进行胶束化处理(薄膜化处理)。之后，进行利用胶束除去液(液温25°C)的喷雾的胶束除去处理、水洗处理(液温25°C)和干燥处理，对平均20μπι的阻焊层2进行薄膜化直到非曝光部的阻焊层2的厚度变为电子部件连接用连接焊盘3的表面下5.Ομπι。在用光学显微镜进行观察时，在阻焊层2的表面没有处理不均，得到了良好的面内均匀性。
[0128]〈工序(C3)>
针对阻焊层2，使用对在工序(B2)中被薄膜化的区域部分和从该薄膜化的区域的境界部到200μπι外侧的区域照射活性光线6那样的模式的光掩膜5，通过氧环境下的非接触曝光以曝光量400mJ/cm2进行曝光。
[0129]接着，为了使阻焊层2固化，以曝光量lOOOmJ/cm2进行整个表面曝光，接着，以150°C施行60分钟热固化处理，得到布线基板。用光学显微镜观察的结果是，厚度15μπι的导体布线7被厚度30μπι的阻焊层2包覆，厚度15Mm的电子部件连接用连接焊盘3露出，在相邻的电子部件连接用连接焊盘3间填充有厚度10.0Mffl的阻焊层2。
[0130]接着，测定了相邻的电子部件连接用连接焊盘3间的阻焊层2的表面粗糙度。在使用超深度形状测定显微镜(股份公司基恩士(KEYENCE)制，产品号“VK-8500”)来测定表面粗糙度时，表面粗糙度Ra为0.40Pm。
[0131]在比较例I中，在安装电子部件时，在相邻的电子部件连接用连接焊盘3间存在充分的厚度的阻焊层2，能够可靠地防止由于焊料造成的电短路。但是，在比较例I中制作的电路基板不具有用于防止底部填充剂从电子部件与电路基板的空隙向周围溢出的障碍构造。因此，在为了确保电子部件与电路基板的连接可靠性而填充充分的底部填充剂时，底部填充剂从电子部件与电路基板的空隙向周围流出，发生电工作不佳。
[0132]实施例5~8是与图4-1和图4-2所示的布线基板的制造方法(2)相关的例子。
[0133](实施例5)
〈工序(Al)〉
使用半加成法来制作在表面形成