2020/1/24最新更新专利技术
  • 具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法与流程
    相关申请的交叉引用本申请要求享有2019年4月15日提交的名称为“integrationofthree-dimensionalnandmemorydeviceswithmultiplefunctionalchips(三维nand存储器器件与多功能芯片的集成)”的国际申请no.pct/cn2019/...
  • 一种发光二极管器件的制作方法
    本发明涉及半导体,特别涉及一种发光二极管的芯片结构。高功率高亮度发光二极管(led)在当下高亮度照明市场的需求下凸显出了其重要性。在蓝宝石为衬底的水平结构led上,由于蓝宝石的散热问题和电流拥挤效应,在高电流密度下操作极易过热导致芯片烧毁,因此高功率led无法采用水平结构。而垂直结...
  • 层叠型热交换器及该层叠型热交换器的制造方法与流程
    相关申请的相互参照本申请基于在2017年6月9日提出申请的日本专利申请号2017-114058号和在2018年5月8日提出申请的日本专利申请号2018-90096号,在此通过参照而编入其记载内容。本发明涉及将供制冷剂流通的多个流路管层叠而成的层叠型热交换器以及该层叠型热交换器的制造方法。作...
  • 电路装置的制作方法
    本发明涉及电路装置。本申请主张基于在2017年6月28日提出申请的日本申请第2017-126355号的优先权,并援引所述日本申请记载的全部的记载内容。在车辆搭载有与电源和前照灯或雨刷等负载连接的电气连接箱。电气连接箱进行电源及负载的电连接和该连接的切断。电气连接箱中收容的电路结构体例如在专...
  • 包括具有热指示器的衬底的电子部件的制作方法
    本公开总体上涉及半导体。更具体而言,本公开涉及包括具有热指示器的衬底的电子部件,所述热指示器沿所述衬底的周界设置,以用于监测衬底的累积热暴露。本领域已知,封装衬底是半导体封装制造中的重要部件。封装衬底起着安装于其上的芯片或管芯的载体的作用,并且在芯片和系统板之间提供电信号连接。此外...
  • 用于衬底处理系统的温度调整的衬底支撑件的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请要求于2017年5月12日提交的美国专利申请no.15/593,987的优先权。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。本公开涉及衬底处理系统,并且更具体地涉及用于衬底处理系统的温度受调节的衬底支撑件。这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此...
  • 用于晶片阶层封装的方法及装置与流程
    本发明的实施例大致关于用于处理基板的方法及装置。具体而言,本公开的实施例关于用于基板层叠封装(pop)处理的方法及装置。基板及装置的层叠封装(package-on-package;pop)堆叠提供主要关于减少装置足迹的显著优点。归因于相关联封装之间缩短的互连,pop用于改善电子性能。pop...
  • 用于在低K电介质蚀刻中减少反应离子蚀刻滞后的方法与流程
    相关申请的交叉引用本申请与在2017年6月12日提交的美国临时专利申请序列号62/518,373和2017年10月10日提交的美国临时专利申请序列号62/570,402有关并要求其优先权,其全部内容通过引用并入本文。本公开涉及基底例如半导体基底的处理。特别地,本公开提供了在蚀刻基底的介电膜...
  • 本发明涉及对半导体基板赋予拒醇性的半导体基板的表面处理方法。半导体元件的制造工序中,有用剥离液和清洗液完全去除由于干蚀刻处理而产生的残渣物的工序,为了将该剥离液和清洗液从表面去除,进行使用了溶剂的冲洗。此时,存在由于冲洗中使用的溶剂的毛细管力而图案坍塌的问题。作为解决该图案坍塌问题的方法,...
  • 含钼的低电阻率的膜的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请根据35u.s.c.§119要求于2017年4月10日提交的美国临时专利申请no.62/483,857的利益,其内容以引用方式并入本文。这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的背景的目的。在该部分以及在提交时不会以其他方式认为是现有技术的描述的方面中描述的...
  • 氮化物半导体层叠物、半导体装置、氮化物半导体层叠物的制造方法、氮化物半导体自支撑基板的制造方法以及半导体装置的制造方法与流程
    本发明涉及氮化物半导体层叠物、半导体装置、氮化物半导体层叠物的制造方法、氮化物半导体自支撑基板的制造方法以及半导体装置的制造方法。在制造氮化物半导体层叠物、氮化物半导体自支撑基板、半导体装置等时,有时会利用气相外延法使由iii族氮化物半导体形成的半导体层在规定的基板上进行外延生长(例如非专...
  • 相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月16日提交的美国临时申请序列号62/520,850的优先权,其全部内容通过引用并入本文中。不断扩展的移动计算应用要求将不断增长的计算能力封装在更小的设备空间中。半导体器件的设计者依赖于使用各种新芯片架构来满足新的设备要求。这些新架构包括使用铜柱的...
  • 具有均匀性控制的等离子体剥离工具的制作方法
    优先权本申请要求2017年12月27日提交的标题为“具有均匀性控制的等离子体剥离工具”的美国临时专利申请第62/610,588号的优先权的权益,通过引用将其并入本文。本申请要求2017年6月9日提交的标题为“具有均匀性控制的等离子体剥离工具”的美国临时专利申请第62/517,365号的优先权的权益...
  • 具有多气体注入的等离子体剥离工具的制作方法
    优先权本申请要求2017年12月27日提交的标题为“具有多个气体注入区的等离子体剥离工具”的美国临时申请第62/610,582号的优先权的权益,出于所有目的,通过引用将其并入本文。本申请要求2017年6月9日提交的标题为“具有均匀性控制的等离子体剥离工具”的美国临时申请序列号62/517,365的...
  • 开关的制作方法
    本发明涉及开关。对于允许引用参考文献的指定国,通过参照2017年6月20日在日本申请的特愿2017-120714所记载的内容而引入本说明书,并作为本说明书的记载的一部分。公知有具备上下电极片;以及被配置于上下电极片之间,在上下电极片之间形成规定的间隔的衬垫,上下电极片与衬垫经由粘着件被贴合...
  • 本发明涉及一种包含微粒和具有石墨烯叠层结构的碳材料的复合体、使用了该复合体的蓄电器件用电极材料以及蓄电器件。通常,就环境方面而言,作为电容器和锂离子二次电池等的蓄电器件的电极材料,广泛使用石墨、活性炭、碳纳米纤维或碳纳米管等碳材料。例如,下述专利文献1公开了一种使用具有三维网状结构的细孔的...
  • 自支撑碳电极的制作方法
    本发明涉及一种由自支撑含碳片制成的自支撑电极,它不需要使用相关的金属集流体。该电极尤其适合用作超级电容器的组件。近年来,超级电容器(有时本领域也称为超大电容器)因其具有长的循环寿命稳定性和它们快速接受和提供电荷的能力而引起了人们将其用于能量存储应用的兴趣。这使得它们具有替代常规锂离子电池或作为常规...
  • 包含纳米涂层的固体电解质电容器的制作方法
    对相关申请的交叉引用本申请要求提交日为2017年7月3日的美国临时专利申请序号62/528,232的提交权益,将其完全引入本文作为参考.钽聚合物电容器由其上设置有固体电解质、银层、和碳层的烧结钽阳极形成。然而,经常与常规固体电解(质)电容器有关的一个问题是,在暴露于高湿度环境(例如,85%...
  • 混合型铝电解电容器及其制造方法与流程
    本发明涉及电解电容,具体涉及一种混合型铝电解电容器及其制造方法。铝电解电容器是电子产品中应用广泛的基础元件,电解液是铝电解电容器的核心组分,电容器的使用寿命、可靠性及电气化参数都与之息息相关,其性能的优劣直接影响到电容器品质的高低。随着电子产品质量的不断提高及铝电解电容器应用范围的...
  • 生产平面线圈的装置、系统和方法与流程
    相关申请的交叉引用本申请要求于2017年5月17日提交的题为“生产平面线圈的装置、系统和方法”的美国申请第15/598044号的优先权,其全部内容通过整体限定并入本文。本公开总体上涉及增材电子器件,并且更具体地,涉及平面线圈的生产。印刷电子器件使用印刷或“增材(additive)”法在各种...
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