1.一种采用高温-浸渍裂解工艺制备HfC-SiC改性C/C复合材料的方法，其特征在于步骤如下：
步骤1、碳毡清洗：将碳毡放到无水乙醇中进行超声波清洗，然后置于烘干温度为65～75℃的烘箱内烘干；
步骤2、制备多孔低密度C/C预制体：将碳毡置于等温化学气相沉积炉内，以天然气为反应气源，其气流量为0.4～1.0m3/h，N2作为载气，沉积温度为950～1150℃，沉积时间为40h～50h，结束后随炉冷却，得到多孔低密度C/C预制体；
步骤3、预制体清洗：将多孔低密度C/C预制体在无水乙醇中超声波清洗，然后置于烘干温度为65～75℃的烘箱内烘干备用；
步骤4、HfC-SiC陶瓷相的引入：
步骤a、高温浸渍多孔C/C预制体：将HfC-SiC陶瓷相前驱体溶液加温至90～110℃，放入多孔低密度C/C预制体至溶液中使预制体完全浸没，一并置于真空箱内，抽真空至0.08～0.05MPa，保真空2～5min，之后每隔1～2min真空度降低0.01MPa，直至真空度降至-0.08～-0.10MPa，继续保真空5～10min，取出浸渍后的多孔C/C预制体，在65～90℃的烘箱内烘干20～30h；
步骤b、热处理：将高温浸渍后的多孔低密度C/C预制体在氩气保护下进行热处理，其中通入的氩气流量为400～600ml/min，以2～5℃/min的升温速率升温至1500～1800℃，保温2～3h后断电降至室温，将浸渍到预制体内部的前驱体转化为HfC-SiC陶瓷相，实现向C/C复合材料内部引入HfC-SiC陶瓷相；
所述HfC-SiC陶瓷相前驱体溶液配制：将聚碳硅烷PCS和HfC前驱体粉末分别与二甲苯溶剂溶解并超声震荡2～3h，再将HfC前驱体溶液与PCS溶液混合并超声震荡10～30min，得到HfC-SiC陶瓷相的前驱体溶液；其中：前驱体溶液中的PCS和HfC的质量分数为60～70％；PCS与HfC的质量比为1︰4。
2.根据权利要求1所述采用高温-浸渍裂解工艺制备HfC-SiC改性C/C复合材料的方法，其特征在于：重复步骤a～步骤b，对多孔低密度C/C预制体进行高温浸渍和裂解，使其内部的HfC-SiC陶瓷相增多填满孔洞，制备出密度不同的HfC-SiC改性的C/C复合材料。
3.根据权利要求1或2所述采用高温-浸渍裂解工艺制备HfC-SiC改性C/C复合材料的方法，其特征在于：所述制备的HfC-SiC改性的C/C复合材料的密度为2.4～2.7g/cm3。
4.根据权利要求1所述采用高温-浸渍裂解工艺制备HfC-SiC改性C/C复合材料的方法，其特征在于：所述碳毡密度为0.42～0.48g/cm3。
5.根据权利要求1所述采用高温-浸渍裂解工艺制备HfC-SiC改性C/C复合材料的方法，其特征在于：所述多孔低密度C/C预制体密度为0.80～1.20g/cm3。
6.根据权利要求1所述采用高温-浸渍裂解工艺制备HfC-SiC改性C/C复合材料的方法，其特征在于：所述步骤1和步骤3的无水乙醇中超声波清洗时间为10～30min。