技术总结
本发明涉及一种采用高温‑浸渍裂解工艺制备HfC‑SiC改性C/C复合材料的方法，将碳毡清洗烘干，通过等温化学气相沉积制备出多孔低密度预制体；配制HfC前驱体和聚碳硅烷的混合溶液作为HfC‑SiC陶瓷相的前驱体，在110℃左右的环境中真空浸渍，将混合溶液浸渍到预制体内部，然后进行裂解，重复高温浸渍‑裂解过程直至材料致密，从而制备出HfC‑SiC改性C/C复合材料。有益效果：利用高浓度聚碳硅烷和HfC前驱体混合溶液粘度随温度的升高而降低的特点，在温度为90～110℃时，向多孔C/C预制体内浸渍高浓度的前驱体混合溶液，使得多孔C/C预制体被较快填满，且陶瓷在预制体内部分布均匀致密，最终密度达2.4～2.7g/cm3，缩短了材料的制备周期，提高了材料的制备效率和陶瓷相在材料内部分布的均匀性。
技术研发人员：李贺军;张豫丹;张雨雷;李克智;姚西媛
受保护的技术使用者：西北工业大学
文档号码：201611004314
技术研发日：2016.11.15
技术公布日：2017.05.31