技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；以及iii-v族化合物层，设置于所述衬底上；其中所述iii-v族化合物层中具有彼此上下连通的n个沟槽，在所述n个沟槽中，最上方的第1沟槽的宽度至最下方的第n沟槽的宽度为递减的，所述第n沟槽暴露出所述衬底的一部分，且n≥2。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第n沟槽暴露出所述衬底的表面。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第n沟槽延伸至所述衬底中。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述n个沟槽中的每一沟槽的侧壁与所述衬底的表面之间的夹角介于30
°
至90
°
之间。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述n个沟槽具有总深度d，且所述n个沟槽中的每一沟槽的深度介于d/n
±
50％之间。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述iii-v族化合物层包括氮化镓层。7.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；于衬底上形成iii-v族化合物层；以及于所述iii-v族化合物层中依序形成彼此上下连通的n个沟槽，其中在所述n个沟槽中，最上方的第1沟槽的宽度至最下方的第n沟槽的宽度为递减的，所述第n沟槽暴露出所述衬底的一部分，且n≥2。8.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第n沟槽暴露出所述衬底的表面。9.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第n沟槽延伸至所述衬底中。10.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述n个沟槽中的每一沟槽的侧壁与所述衬底的表面之间的夹角介于30
°
至90
°
之间。11.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述n个沟槽具有总深度d，且所述n个沟槽中的每一沟槽的深度介于d/n
±
50％之间。12.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述iii-v族化合物层包括氮化镓层。13.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，按照所述第1沟槽至所述第n沟槽的顺序形成所述n个沟槽。