半导体结构及其制造方法与流程

技术总结
本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括衬底以及设置于所述衬底上的III


技术研发人员：王庆森 陈旷举 萧鹏展 刘汉英
受保护的技术使用者：新唐科技股份有限公司
技术研发日：2020.08.26
技术公布日：2021/6/28