0、对应的第三导电通孔150、对应的第三导电图形160之间可形成导电及导热路径，因此第一电子组件11以及第二电子组件17所产生的热能可由第三导电图形160、第二导电图形130而传导至封装结构I的外部的上方及下方。此外，由于于第一电子组件11的至少一侧边设置有至少一导热部件14，例如图1A所示的第一电子组件11，于其水平侧各自设置一导热部件14，因此第一电子组件11运作时所产生的热能还可通过两导热部件14而传导至封装结构I的第一侧面106及第二侧面107外，如此一来，封装结构I内因第一电子组件11及第二电子组件17运作所产生的热能便可以垂直及水平方向的具较低热阻的热传导路径传导至封装结构I的外部，故可大幅提升封装结构I的散热效率。此外，由于本发明的封装结构I具有分别设置于第二绝缘层15的顶面151的第三导电层16以及设置于第一绝缘层10的底面102的第二导电层13，使得封装结构I可利用第三导电层16及第二导电层13作为接触垫及热传导路径，借此使封装结构I具有双边电性连接及双边散热功能。更甚者，由于本发明的封装结构I将导热部件14内埋于第一绝缘层10及/或第二绝缘层15内，并通过例如导线架来构成导热部件14，因此也可加强封装结构I的整体机械强度，并防止封装结构I的变形。另外，由于本发明的封装结构I为具有第一绝缘层10及第二绝缘层15的多层结构，使第一电子组件11以及第二电子组件17可分别内埋于位于不同层的第一绝缘层10以及第二绝缘层15内，而非如现有封装结构需将所有电子组件设置于印刷电路板的同一层上，因此本发明的封装结构I可减少电子组件，例如第一电子组件11以及第二电子组件17，间的距离而缩短导通间距，故可有效降低导通阻抗，减少寄生效应，进而获得较好的效率及电性表现，同时可使封装结构I的整体功率密度大幅提升。
[0092]以下将进一步说明本发明图1A所示的封装结构的各种可能变化例，且由于以下图式中所示的封装结构的整体结构及组件特征相似于图1A所示的封装结构，故仅以相同符号表示组件结构、连接关系及功用相同，而不再赘述。
[0093]图2为本发明第二实施例的封装结构的剖面示意图。相较于图1A所示的第一实施例，本实施例的封装结构2可包括多个相同或不同的第一电子组件11及多个相同或不同的第二电子组件17，例如图2所示的三个第一电子组件I la、I lb、I Ic以及三个第二电子组件17a、17b、17c，且每一个第一电子组件11的第一导接端110以及每一个第二电子组件17的第二导接端170的数量视该第一电子组件11及该第二电子组件17的种类而有所不同，例如当第一电子组件11及第二电子组件17为金氧半导体场效晶体管(MOSFET)时，则分别具有三个第一导接端110以及第二导接端170，亦即如图2所示的第一电子组件Ila及第二电子组件17a。当第一电子组件11及第二电子组件17为电容、电阻或二极管等，则具有两个第一导接端110以及第二导接端170，亦即如图2所示的为二极管的第一电子组件11b，为电容或电阻的第一电子组件11c，以及为电容或电阻的第二电子组件17c。当然，第一电子组件11及第二电子组件17也可为集成电路(Integrated Circuit:1C)，此时，第一导接端110以及第二导接端170的数目则依集成电路的实际架构而有所变化，例如图2所示，第二电子组件17b为集成电路，其具有四个第二导接端170。当然，封装结构2内的多个第一电子组件11及多个第二电子组件17并不局限于图2所示，可依实际需求来搭配设置。
[0094]此外，由图2所示可知，为了使多个第一电子组件11中的每一第一电子组件11的水平位置至少有一个导热部件14，使每一第一电子组件11皆可通过水平侧的导热部件14来进行散热，此任两个相邻的导热部件14之间可设置一第一电子组件11。
[0095]图3为本发明第三实施例的封装结构的剖面结构示意图。相较于图2所示的第二实施例，本实施例的封装结构3还可具一绝缘散热层30以及外接的一散热装置31。散热装置31与第二导电层13相邻地外接于封装结构3的一侧，用以加强第二导电层13的散热效率。
[0096]于一些实施例中，散热装置31可为无源式散热装置，例如由金属或陶瓷等物质所构成散热鳍片(heat sink),但不以此为限,也可为有源式散热装置,例如冷却水(coolingwater)散热装置或是热管(heat pipe)散热装置。
[0097]绝缘散热层30设置于第二导电层13的外部表面上而包覆第二导电层13，且与散热装置31相接，绝缘散热层30用以提供与第二导电层13相导通的第一电子组件11的第一导接端110及散热装置31之间的绝缘效果，且使第二导电层13所接收到的热能可传导至散热装置31。于一些实施例中，当封装结构3应用于高电压的场合时，绝缘散热层30还可防止漏电及跳火现象。
[0098]此外，如图3所示，封装结构3还可具有一金属层32，设置绝缘散热层30的外表面上且与外接的散热装置31相接，其可将由绝缘散热层30所传来的热能均匀传导至散热装置31上，以加强散热效果。
[0099]图4为本发明第四实施例的封装结构的剖面结构示意图。相较于图3所示的第三实施例，本实施例的封装结构4还具有由金属所构成的至少一导脚(pin) 40，该导脚40设置且连接于对应的第三导电层16的第三导电图形160上，其设置方式(可为但不限于)例如是焊锡焊接、超音波焊接、热压焊接、电热焊接或机械嵌入等，借此封装结构4便可利用导脚40插接于系统电路板上，而当导脚40插接于系统电路板上时，亦可利用焊接方式固定于系统电路板上。
[0100]图5为本发明第五实施例的封装结构的剖面结构示意图。相较于图2所示的第二实施例，本实施例的封装结构5还具有至少一第三电子组件50，设置于第三导电层16上，且该第三电子组件50具有多个第三导接端500，每一第三导接端500设置于第三导电层16的对应的单一第三导电图形160上，并利用例如焊锡51焊接方式而固定于对应的第三导电图形160上，借此提升封装结构5的功率密度。
[0101]图6为本发明第六实施例的封装结构的剖面结构示意图。相较于图5所示的第五实施例，本实施例的封装结构6还具有由金属所构成的至少一导脚(pin) 60，该导脚60设置且连接于第二导电层13的对应第二导电图形130上，其设置方式(可为但不限于)例如是焊锡焊接、超音波焊接、热压焊接、电热焊接或机械嵌入等，借此封装结构6便可利用导脚60插接于系统电路板上，而当导脚60插接于系统电路板上时，也可利用焊接方式固定于系统电路板上。
[0102]请参阅图7，其为本发明第一实施例的堆栈式封装模块的剖面结构示意图。于本实施例中，堆栈式封装模块7具有多个封装结构2，其中每一封装结构2的结构相似于图2所示的封装结构2，因此不再赘述其内部结构，而仅标示部分组件的符号，并以相同符号代表组件结构、连接关系及功用与图2所示的封装结构2相同。多个封装结构2依序堆栈设置，亦即每一封装结构2依序堆栈设置于另一封装结构2的上方，且位于上方的封装结构2的第二导电层13与相邻设且位于下方的封装结构2的第三导电层16相连接而导通，更甚者，位于上方的封装结构2的第二导电层13的每一第二导电图形130与位于下方的封装结构2的第三导电层16的至少一对应第三导电图形160相连接而导通。由于本实施例的堆栈式封装模块7由多个依序堆栈设置的封装结构2所构成，因此可形成更高密度的封装体，进而提升功率密度。
[0103]于一些实施例中，位于上方的封装结构2的第二导电图形130与相邻设且位于下方的封装结构2的对应第三导电图形160之间可利用锡球70焊接而彼此固定连接导通。此夕卜，堆栈式封装模块7还具有至少一第三电子组件71，设置于最上方的封装结构2的第三导电层16上，且该第三电子组件71具有多个第三导接端710，每一第三导接端710设置于最上方的封装结构2的第三导电层16的对应的单一第三导电图形160上，并利用例如焊锡72焊接方式而固定于对应的第三导电图形160上，借此封装结构7的功率密度便可提升。
[0104]图8为本发明第二实施例的堆栈式封装模块的剖面结构示意图。相较于图7所示的第一实施例，本实施例的堆栈式封装模块8还具有由金属所构成的至少一导脚80，该导脚80设置且连接于最下方的封装结构2的对应的第二导电层13的第二导电图形130上，其设置方式(可为但不限于)例如是焊锡焊接、超音波焊接、热压焊接、电热焊接或机械嵌入等，借此堆栈式封装模块8便可利用导脚80插接于系统电路板上，而当导脚80插接于系统电路板上时，也可利用焊接方式固定于系统电路板上。
[0105]综上所述，本发明提供一种封装结构及其所适用的堆栈式封装模块，该封装结构为多层结构，使每一绝缘层内可埋设至少一电子组件，而非如现有封装结构需将所有电子组件设置于印刷电路板的同一层上，因此本发明的封装结构可减少设置于不同层的绝缘层的电子组件间的距离而缩短导通间距，故有效降低导通阻抗，减少寄生效应，进而获