本发明属于集成电路制造，具体涉及一种闪存的电阻测试结构及其形成方法。、闪存(flash)已经成为非易失性半导体存储技术的主流。flash不但可以用电气方法为数据编程、擦去和读取数据，而且可以在电源中断过程中保留数据，并兼具存取速度快，质轻容量大及存取装置体积小等优点，被广泛应用在各类诸如智...

本发明涉及一种存储，尤其涉及一种解码方法与存储装置。、一般来说，为了确保从存储器模块中读取出来的数据的正确性，从存储器模块中读取出来的数据可被解码，在具体的解码过程中，较常用的错误校正码是低密度奇偶校验码(ldpc)以更正数据中的错误比特。而位翻转解码器(bit flipping deco...

本公开总体上涉及存储器设备。、易失性存储器在断电时通常不能存储数据。出于该原因，在易失性存储器设备的一些区域中，可设置一次性可编程(otp)元件。通过对otp元件执行电熔丝和反熔丝操作，需要基本上存储的信息作为熔丝信息存储在otp元件中。、一种考虑到制造方法、集成程度等而将反熔丝单元阵列设...

本申请涉及信息处理，特别涉及一种存储器熔丝检测方法、装置、电子设备及车辆。、一次性可编程存储器(efuse：electronic fuse)为电子保险丝熔丝性的一种器件，其熔丝过程对应于一次性数据写入过程，因为数据为一次性高级别数据，写入后不能更改，因此其熔丝过程非常关键。目前设备的efu...

本发明涉及存储芯片，尤其是涉及一种基于示波器的读写分离方法、存储介质。、信号完整性(si，signal integrity)是指在电路或通信系统中，保持信号的准确性和可靠性的能力。si的好坏直接影响了系统的性能和可靠性，因此在新产品导入阶段对产品进行si测试非常重要。、目前，对于ddr、l...

本公开涉及存储器，尤其涉及一种存储器系统的操作方法、存储器的操作方法及存储器系统。、在对三维存储器(例如，d nand存储器)进行编程的过程中，存储单元中所有相邻两个编程态的阈值电压重叠部分的总和(记为esum)以及编程时间(记为tprog)是两个非常重要的指标。其中，esum决定了存储单...

本申请涉及数据存储，特别涉及一种nvme系统的测试方法、装置、系统及固态硬盘。、随着基于nvme(non-volatile memory express，非易失性存储快速通道)协议的固态硬盘的不断普及和应用，nvme协议的可靠性以及系统的兼容性，对于硬盘厂商还是上层厂商(服务器厂商或是pc...

本公开涉及半导体，尤其涉及一种修复方法及修复装置。、在半导体存储器的制造过程中，由于制造工艺等原因，会使得存储阵列中的部分存储单元产生故障，其中，单比特故障在所有故障类型中占据的数量较多。相关技术中，虽然可以通过冗余分析(redundancy analysis，ra)方法对存储阵列中的故障...

本发明属于存储，特别涉及一种存储芯片的测试方法及测试装置。、在存储芯片中，存在出厂坏块和增长坏块。其中，出厂坏块是在存储芯片制成时形成的坏块，而增长坏块是在使用过程中因为磨损而形成的。、在存储芯片出厂前，需要对存储芯片进行功能性检测，以保证存储芯片的各项功能符合标准。对于存储芯片内的出厂坏...

本申请涉及固态硬盘测试领域，尤其涉及一种固态硬盘的多通道并行测试方法、系统、介质及产品。、随着大数据和云计算技术的快速发展，数据存储设备的需求量持续攀升。作为新一代存储介质，固态硬盘以其出色的读写性能、可靠的数据安全性和良好的环境适应性，正在逐步替代传统机械硬盘，成为数据中心、企业服务器等...

、布尔可满足性问题(即，命题可满足性问题，缩写为可满足性、sat或b-sat)涉及确定是否存在满足布尔公式(本文中有时称为布尔可满足性公式)的解释。例如，sat问题试图确定布尔公式的变量是否可以以如此的方式一致地由真或假值替换，使得布尔公式的计算结果为真。如果是这种情况，则布尔公式被称为可...

本公开涉及存储器系统、非易失性存储器装置和控制非易失性存储器装置的操作的方法。、闪速存储器装置、电阻式存储器装置等可以根据多个阈值电压分布或多个电阻分布来存储数据，其中每个相应的分布被指派到所存储的数据的对应的逻辑状态。当施加预定读取电压时，可通过确定存储器单元是否接通/关断来读取由存储器...

本发明涉及存储器，尤其涉及一种纠错码电路、纠错方法、修复系统及存储器。、mram是一种新的内存和存储技术，其具有sram/dram一样快速随机读写的特点，还具有flash闪存在断电后永久保留数据的功能。mram存储位元的核心结构为磁性隧道结，其由两层铁磁性材料夹着一层非常薄的非铁磁绝缘材料...

本公开涉及芯片存储，尤其涉及一种控制方法、参数计算方法、存储器及存储系统。、存储系统包括存储器。该存储器可以为闪存(nand)。闪存中的存储单元可以用于存储数据。而存储单元的性能和寿命受数据处理次数的影响会发生变化。数据处理次数包括数据写入次数、数据擦除次数等。当存储单元的性能发生变化后，...

本发明涉及集成电路技术，特别涉及一种flash单元的测试电路。、flash型fpga具有非易失性、高可靠性、固件错误免疫性、高保密性等特点，广泛应用于工业控制、军事、航空航天等多种复杂的电磁辐射环境中。、flash单元由一对共浮栅(g)的sense-switch结构的flash晶体管构成，...

本申请涉及存储器测试，具体而言，涉及一种闪存主控纠错能力的测试方法、装置及设备。、现有的主控ecc能力测试一般是通过模拟注入bit翻转的数据写入nand闪存中，然后通过ldpc解码读取出来，判定单次是否解码成功的方法；上述方法存在以下问题：、其一是，由于nand闪存的特性，在读取数据的可能...

本公开涉及半导体，例如涉及一种存储器及其操作方法。、半导体存储器可以粗略地划分成两类，这取决于它们在断电时是否保留存储的数据；这两类半导体存储器是：易失性存储器和非易失性存储器，易失性存储器在断电时丢失存储的数据，非易失性存储器在断电时保留存储的数据。、相变存储器作为一种新兴的非易失性存储...

本发明属于信息存储相关，更具体地，涉及一种非易失奥式阈值开关存储器的操作方法及其操作设备、存储系统。、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)因其兼具速度和存储密度的优势，在过去几十年一直作为计算机存储架构的主存储器。然而，随着技术节点进入n...

本申请涉及电子器件，尤其是一种灵敏放大器及其控制方法、铁电存储器、电子设备。、随着电子技术的发展，相关的器件逐步得到应用和推广。其中，铁电存储器是一种非易失性存储器件，能够在断电后继续保存数据，且具备较快的存取速度，在诸如智能卡、医疗设备、汽车电子系统等领域应用较多。铁电存储器在板线(pl...

本发明的一个方式涉及一种半导体装置等。注意，本发明的一个方式不局限于上述。本说明书等所公开的发明的一个方式的涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matte...